Diode Gunn
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Une diode Gunn est un type de diode utilisée en électronique supra haute fréquence.
Ce semi-conducteur ne comporte qu'un dopage négatif (N), ce qui est inhabituel, les diodes étant normalement constituées de deux parties, une dopé positivement (P) et une dopé négativement (N). Dans une diode Gunn, trois régions existent, deux d'entre elles, proches des connexions, sont fortement dopées négativement(N+), la fine partie centrale est quant à elle faiblement dopée négativement(N-).
Quant la couche centrale commence à conduire, le gradient la traversant diminue, freinant la conduction. En pratique, cela signifie que cette diode possède une zone où sa résistance est négative.
La résistance négative associée avec les propriétés temporelles de la couche intermédiaire, permet la construction d'un oscillateur simplement en appliquant un courant convenable au composant. La fréquence d'oscillation étant déterminée en partie par la couche centrale, mais pouvant être ajusté par des facteurs externes. Les diodes Gunn sont utilisées dans la construction d'oscillateurs à partir de 10GHz, une cavité résonante est souvent utilisée pour accorder l'oscillateur.
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