FRAM
Wikipedia
FRAM on muistityyppi, joka on samankaltainen kuin vanhemmat EEPROM ja flash-muistit. FRAM saa nimensä ferrosähköisestä kiteestä, joka toimii muistin sydämenä. Tallennukset kuluttavat kuitenkin kidettä, joten tarpeeksi monesti sinne kirjoitettaessa se ei enää pidä tilaansa. Muistiin voidaan kuitenkin kirjoittaa noin 10 miljardia kertaa ja vaikka kide menettää haihtumattomuutensa, sitä voidaan käyttää sen jälkeen vielä RAM-muistina.
FRAM-muistitekniikan alku pohjautuu vuoteen 1921, mutta vasta vuonna 1984 kehitettiin ja lisensoitiin ensimmäinen FRAM. FRAM tarjoaa parhaat puolet molemmista RAM- ja ROM-muisteista. Muistia voi käyttää datan tallentamiseen ilman sähköä, sillä se säilyttää tiedon ilman käyttöjännitettä. Se on tämänhetkisten muistien sekoitus; yksi transistorilohko kuin DRAM:ssa, SRAM-muistin hinta ja FLASH-muistin datan tallennuksen pysyvyys. FRAM-muisti sallii vain rajatun määrän käyntikertoja kunnes se menettää haihtumattoman muistin ominaisuuden.
FRAM saa nimensä ferrosähköisestä kiteestä, joka toimii muistin sydämenä. Ferrosähköisen kiteen varastointitila perustuu vapaiden atomien tiloihin kiteellä. Vapailla atomeilla kiteessä on vain kaksi stabiilia tilaa, 1 ja 0. Kun tila muuttuu esimerkiksi 1:stä 0:ksi, sen pitämiseen ei tarvita sähköä. Jos siitä katkaistaan virta, niin data on tallessa vielä kymmenenkin vuoden päästä.
Kide voi kuitenkin kulua loppuun. Muistilta tarpeeksi monta kertaa luettaessa, se menettää haihtumattomuutensa. FRAM-muistin teknisissä tiedoissa luvataan kuitenkin 10 miljardia lukukertaa. Data ei kuitenkaan katoa, kun lukukerrat ovat käytetty, vaan loppua voi käyttää kuin RAM-muistia. Data häviää, kun virta katkeaa.
FRAM-muisti tuo vahvistusta muiden muistien rinnalle. Kunnes rajatusta lukukerrasta päästään eroon, on FRAM-muisti samalla viivalla kuin EEPROM- ja FLASH-muisti, vaikkakin hieman altavastaajana uusimpana tulokkaana.
FRAM-muistia on käytetty muun muassa aivan vasta toimikorttien muistina.
