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[modifier] Transistor FET à nanotubes de carbone (CNFET)
De nombreux groupes de recherche ont à ce jour, élaboré des dispositifs électroniques de commutation à partir de nanotubes de carbone, tels que notamment le transistor à effet de champ à nanotube (CNFET pour « Carbon Nanotube Field Effect Transistor »). Celui-ci utilise un nanotube de type semi-conducteur en tant que canal, à travers lequel les électrons peuvent circuler d’une manière contrôlée, selon que l’on applique ou non, une différence de potentiel sur une troisième électrode.
[modifier] Les premiers dispositifs CNFET
En mai 2002, IBM annonçait la création de l’un des plus performants transistors à nanotube de carbone élaboré jusque là. Le constructeur informatique démontrait ainsi que des nanotubes de carbone, 50 000 fois plus fin qu’un cheveu humain peuvent surpasser les performances unitaires des meilleurs dispositifs de commutation à silicium du moment.
Un tel transistor à effet de champ à nanotube (CNFET), utilise un nanotube de carbone mono-paroi dans une structure s’apparentant à un transistor conventionnel à effet de champ de la technologie « metal oxyde semiconductor » (MOSFET). L’électrode de commande (gate) est disposée au dessus du canal de conduction et séparée de celui-ci par une mince couche diélectrique (gate oxyde).
- Nano-informatique et Intelligence Ambiante, Jean-Baptiste Waldner, Hermes Science, London, 2006, ISBN 2746215160
- Vertical Scaling of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors Using Top Gate Electrodes, Shalom Wind, Joerg Appenzeller, Richard Martel, Vincent Derycke & Phaedon Avouris, IBM's T.J. Watson Research Center, Journal of Applied Physics Letters, 2002
- Nanocomputers & Swarm Intelligence, Jean-Baptiste Waldner, ISTE, London, 2007, ISBN 9781847040022
- Nanotubes for Electronics, Philip G. Collins & Phaedon Avouris, Scientific American, 2000
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