전력 반도체 소자
위키백과 ― 우리 모두의 백과사전.
전력 반도체 소자는, 전력장치용의 반도체소자이다. 전력의 변환이나 제어용으로 최적화되어 있어서, 전력 전자공학의 핵심 소자이다. 일반적인 반도체소자에 비해서 고내압화, 큰전류화, 고주파수화된 것이 특징이다. 일반적으로 파워 디바이스라고도 부르며, 정류 다이오드, 전력 MOSFET, 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT), 사이리스터, 게이트 턴 오프 사이리스터 (GTO), 트라이액 (영어: triac)등으로 알려져 있다.
통전제어의 가부에 관계없이 한방향으로 손실없이 전류를 흘릴 수 있는 소자를, 밸브 디바이스라고 부르며, 전력 반도체소자는 그 안에 포함되어 반도체 밸브 디바이스라고도 불린다.
정격전압, 정격전류는 용도나 소자의 구조에 따라서 다르지만, 정격전압은 220 볼트 전원선과 440 볼트 전원선에 대응한 600 볼트와 1200 볼트가 일반적이고, 정격전류는 1 암페어에서 1 킬로암페어 이상으로 폭이 크다.
다중의 소자를 하나의 패키지에 모듈화한 전력 모듈이나, 제어회로, 구동회로, 보호회로등도 포함하여 모듈화한 다기능 전력 모듈도 있다.
