Арсенід галію
Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
| Арсенід галію | |
|---|---|
| Загальна інформація | |
| Хімічна назва | Арсенід галію |
| Молекулярна формула | GaAs |
| Молярна маса | 144.645 г/моль |
| Зовнішній вигляд | Сірі кубічні кристали. |
| Властивості | |
| Густина й агрегатний стан | 5.3176 г/см³, тверде тіло. |
| Розчинність у воді | < 0.1 г/100 мл (20°C) |
| Температура плавлення | 1238°C (1511 K) |
| Температура кипіння | ?°C (? K) |
| Електронні властивості | |
| Тип напівпровідника | прямозоннний |
| Ширина забороненої зони при 300 K | 1.424 еВ |
| ефективна маса електрона | 0.067 me |
| ефективна маса легких дірок | 0.082 me |
| ефектривна маса важких дірок | 0.45 me |
| Рухливість електронів при 300 K | 9200 см²/(В·с) |
| Рухливісь дірок при 300 K | 400 см²/(В·с) |
| Структура | |
| Кристалічна ґратка | цинкової обманки |
| Дипольний момент | ? Д |
| Небезпека | |
| Основна | Канцерогенний |
| Температура загорання | не займається |
| Споріднені сполуки | |
| Споріднені сполуки | Арсенід алюмінію |
Арсенід галію (GaAs) - кристалічна речовина із кристалічною ґраткою типу алмазу.
Прямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 1.424 еВ. Широко використовується для створення напівпровідникових пристроїв, багатошарових структур, квантових точок, дротин й ям.
