Extended Data Output Random Access Memory
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Der EDO-DRAM (Extended Data Output RAM) ist ein Halbleiterspeicher und gehört zur Gruppe der DRAMs. Er stellt eine geringfügige evolutionäre Weiterentwicklung des FPM-DRAM (Fast Page Mode DRAM) dar. Aufgrund seiner etwas erhöhten Datentransferrate begann er diesen etwa ab 1996 abzulösen.
Der Unterschied macht sich nur beim sogenannten Pagemode-Betrieb bemerkbar, bei dem mehrere Datenbits aus der gleichen Speicherseite ("Page") ausgelesen werden. Befinden sich Datenbits in einer Speicherseite, so besitzen sie alle die gleiche Zeilenadresse ("row address"), jedoch unterschiedliche Spaltenadressen ("column address"). Das Protokoll lässt sich – sowohl beim FPM-DRAM als auch beim EDO-DRAM – nun dadurch vereinfachen, dass man die Übermittlung der gleich gebliebenen Zeilenadresse weglassen kann. Für das Auslesen von Daten aus der Speicherseite ist nun nur noch die Übertragung der Spaltenadresse notwendig. Die Gültigkeit der Spaltenadresse wird durch eine fallende Flanke am externen CAS-Steuereingang ("column address select") gekennzeichnet. Nach einer gewissen Verzögerung stellt der DRAM die neuen Daten an seinen Ausgängen bereit. Der EDO-DRAM unterscheidet sich nun hierbei in einem kleinen Detail vom FPM-DRAM. Obwohl die für Mainboards bestimmten FPM- und EDO-DRAM-Speicherriegel physikalisch in die gleichen Slots passen, funktioniert EDO-DRAM meist nicht in alten Mainboards, die FPM-DRAM verlangen. Umgekehrt können jedoch fast immer Mainboards, die für EDO-DRAM ausgelegt sind, auch mit FPM-DRAM betrieben werden. EDO-DRAM gibt es mit Zugriffszeiten von 70 ns und 60 ns. Auf Mainboards, die den Frontsidebus mit 66 MHz Takt betreiben, können EDO-DRAM mit 70 ns Zugriffszeit Probleme verursachen. Außerdem funktionieren EDO-DRAM mit 64 MB Kapazität oder mehr auf vielen Mainboards nicht, dort können nur EDO-DRAM mit maximal 32 MB Kapazität eingesetzt werden.
Die Ungültigkeit der Spaltenadresse wird beim älteren FPM-DRAM durch die steigende Flanke der CAS-Steuerleitung signalisiert. Als Folge dessen deaktiviert der FPM-DRAM seine Datentreiber, wodurch das zuvor gültige Datum von den externen Datenausgängen verschwindet. Der Zustand der Datenausgänge bleibt solange undefiniert, bis durch Angabe einer neuen Spaltenadresse und eine fallende Flanke der CAS-Leitung der Vorgang wiederholt wird. Der FPM-DRAM stellt die ausgelesenen Daten im "Pagemode" also nur für einen Bruchteil der Zykluszeit an seinen Ausgängen zur Verfügung.
Beim neueren EDO-DRAM wird hingegen die steigende Flanke der CAS-Steuerleitung ignoriert. Die Datentreiber bleiben aktiv und die zuvor ausgelesene Dateninformation bleibt an den externen Datenausgängen solange bestehen, bis sie durch eine neue Information ersetzt wird.
Es muss hier betont werden, dass durch diese Modifikation des Protokolls zunächst keinerlei Erhöhung der Datentransferrate erreicht wird. Es wird lediglich erreicht, dass das ausgelesene Datum während der gesamten Pagemode-Zykluszeit an den externen Datenausgängen zur Weiterverarbeitung zur Verfügung steht. Die verlängerte Verfügungszeit der ausgelesenen Daten beim EDO-DRAM ermöglichte es nun, die mit der Weiterentwicklung der DRAMs einhergehende Geschwindigkeitssteigerung besser auszunutzen, indem man die Zykluszeit im "Pagemode" schrittweise weiter verringerte. Durch die innerhalb eines Zyklus verlängerte Verfügungszeit der Daten war trotz der verringerten Zykluszeit ein sicheres Auslesen der Daten gewährleistet. Der dadurch im "Pagemode" erreichte Performancegewinn des EDO-DRAM wurde üblicherweise überschätzt und lag nur im Bereich weniger Prozente.
Mittlerweile wurde EDO DRAM in nahezu allen Anwendungsbereichen zunächst durch SDRAM dann durch DDR-SDRAM und heute durch die DDR2-SDRAM Technologie ersetzt.
