Indiumantimonid
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| Strukturformel | |||
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| Keine Strukturformel vorhanden | |||
| Allgemeines | |||
| Name | Indiumantimonid | ||
| Andere Namen | keine | ||
| Summenformel | InSb | ||
| CAS-Nummer | 1312-41-0[1] | ||
| Kurzbeschreibung | silbergrauer Feststoff | ||
| Eigenschaften | |||
| Molmasse | 236,6 g/mol | ||
| Aggregatzustand | fest | ||
| Dichte | 5,75 g/cm3[1] | ||
| Schmelzpunkt | 500 °C (Zersetzung)[1] | ||
| Siedepunkt | - | ||
| Dampfdruck | - (-) | ||
| Löslichkeit | unlöslich in Wasser[1] | ||
| Sicherheitshinweise | |||
| Gefahrstoffkennzeichnung aus RL 67/548/EWG, Anh. 1 | |||
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| R- und S-Sätze | R: 20/22-51/53 | ||
| S: (2-)61 | |||
| weitere Sicherheitshinweise | |||
| MAK | 0,5 mg/m3 (Sb). 0,1 mg/m3 (In) [1] | ||
| Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen. | |||
Indiumantimonid (InSb) ist eine chemische Verbindung aus Indium (In) und Antimon (Sb). Es zählt daher zu den III-V-Halbleitern
[Bearbeiten] Eigenschaften
Indiumantimonid besitzt die größte Elektronenbeweglichkeit aller bekannten Halbleiter und eignet sich daher besonders gut zur Herstellung von Transistoren.
[Bearbeiten] Verwendung
Die Firmen Intel und QinetiQ entwickeln momentan zusammen einen Transistor aus Indiumantimonid. Dieser soll etwa 50 % schneller schalten und gleichzeitig lediglich ein Zehntel der Energie momentaner Transistoren verbrauchen. Die Forschungen sollen allerdings erst gegen 2010 abgeschlossen sein.
Außerdem wird Indiumantimonid noch als Werkstoff für Infrarotsensoren benutzt, vor allem im Spektrum von 1000 nm bis 5500 nm.
