Rapid Thermal Processing
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Rapid Thermal Processing (dt.: schnelle thermische Bearbeitung) ist ein Überbegriff für die Bearbeitung von Wafern in einem Hochtemperaturprozess, bei dem eine sehr rasche Erhitzung des Wafers mit Halogenlampen erzielt wird.
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[Bearbeiten] Grundprinzip
Der in die Prozesskammer eingebrachte Wafer wird durch ca. 200-250 Halogenlampen mit einer Gesamtleistung von 40 kW und mehr auf eine Temperatur von ca. 1000 °C erwärmt.
Durch die hohe Leistung der Lampen sind Aufheizraten (Ramp-Up) von über 100 Kelvin pro Sekunde möglich. Nach Abschalten der Halogenlampen kühlt der Wafer wiederum sehr schnell ab (Ramp-Down, ca. 50 Kelvin pro Sekunde). Die meisten RTP-Prozesse finden unter Vakuum statt, um eine ungewollte Oxidation zu vermeiden
[Bearbeiten] Prozesse
[Bearbeiten] RTA
Rapid Thermal Annealing dient zur Ausheilung der Kristallstruktur des Wafers nach Implantationsprozessen. Bei Temperaturen um 1000 °C und Prozesszeiten von 10-20 Sekunden wird die Kristallstruktur ausgeheilt und trotzdem die weitere Diffusion der Dotierstoffe durch die kurze Prozesszeit auf ein Minimum begrenzt.
[Bearbeiten] RTO
Rapid Thermal Oxidation dient zur Erzeugung von sehr dünnen Oxiden (<20 Angström) die zum Beispiel als Streuoxid für Implantationsprozesse dienen.
[Bearbeiten] Weitere Anwendung
Erzeugung von Titansilicid durch Auftrag einer Titanschicht von ca. 40 nm Dicke und anschließender Umwandlung in ein Silicid durch RTP
[Bearbeiten] Literatur
- Michael Quirk, Julian Serda: "Semiconductor Manufacturing Technology" Prentice-Hall, ISBN 0-13-081520-9
- Ulrich Hilleringmann: "Silizium-Halbleitertechnologie" Teubner, ISBN 3-519-30149-0
