Diodo p-i-n
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Se llama diodo p-i-n a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrínseco, y las externas, una de tipo p y la otra tipo n. Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo p de alta resistividad (π) o bien por una capa n de alta resistividad (ν).
El diodo p-i-n se usa como conmutador de microondas. Tiene capacidad para manejar alta potencia.
[editar] Fotodiodo p-i-n
Es uno de los fotodetectores más comunes, debido a que la capa intrínseca se puede modificar para optimizar su eficiencia cuántica y margen de frecuencia.
