PRAM

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La Phase Change Random Access Memory (PRAM), conocida en español como Memoria de Acceso Aleatorio de Cambio de Fase, es un tipo de memoria no volátil en desarrollo.

PRAM utiliza el comportamiento único de los cristales de anfígenos, que puede cambiar entre dos estados, cristalino o amorfo, por la acción del calor. PRAM es una de las numerosas nuevas tecnologías que buscan competir con Flash RAM. Los expertos afirman que es unas 30 veces más veloz que las memorias RAM actuales^[1]

En agosto de 2004, Nanochip desarrolló la patente del cristal de anfígeno para su uso con MEMS.

En septiembre de 2006, Samsung anunció un prototipo de 512 Mb de este tipo de memoria^[2]. El anuncio fue bastante sorpresivo y muy importante, especialmente por su alta densidad y capacidad. El prototipo presenta un núcleo de 46,7 nm, que es mejor que cualquiera de las Flash RAM en el mercado^{[cita requerida]}. Aunque Flash RAM ya tiene tiempo en el mercado y una mayor capacidad (con módulos de 8 Gb saliendo al mercado), se preve que PRAM será un verdadero competidor en este sentido ya que tiene una densidad mucho mayor y en un futuro se esperan capacidades enormes.

[editar] Cronología

Septiembre de 1966 - Stanford Ovshinsky registra la primera patente del cambio de fase.
Septiembre de 1970 - Gordon Moore publica sus resultados en "Electronics Magazine".
Junio de 1999 - Ovonyx busca socios para comercializar esta tecnología.
Noviembre de 1999 - Lockheed Martin trabaja con Ovonyx para utilizar PRAM en tecnología espacial.
Febrero de 2000 - Intel invierte en Ovonyx, se licencia la tecnología.
Diciembre de 2000 - STMicroelectronics compra la licencia de Ovonyx.
Marzo de 2002 - Macronix registra patente de PRAM sin transistores.
Julio de 2003 - Samsung comienza a trabajar en tecnología PRAM.
2003 a 2005 - Patente relacionadas con PRAM registradas por: Toshiba, Hitachi, Macronix, [[Renesas, Elpida, Sony, Matsushita, Mitsubishi, Infineon y más.
Agosto de 2004 - Nanochip licencia la tecnología PRAM de Ovonyx para utilizarla en MEMS.
Agosto de 2004 - Samsung anuncia éxito en PRAM de 64 Mbit.
Febrero de 2005 - Elpida licencia PRAM de Ovonyx.
Septiembre de 2005 - Samsung anuncia PRAM de 256 Mbit, con corriente de 400 µA.
Octubre de 2005 - Intel aumenta su inversión en Ovonyx.
Diciembre de 2005 - Hitachi y Renesas anuncian PRAM de 1,5 volt con corriente de 100 µA.
Diciembre de 2005 - Samsung licencia PRAM de Ovonyx.
Septiembre de 2006 - Samsung anuncia PRAM de 512Mbit.
Octubre de 2006 - Intel y STMicroelectronics muestran un chip PRAM de 128 Mbit^[3]