Arséniure de gallium
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Général | |||||
Formule brute | GaAs | ||||
Nom IUPAC | Arséniure de gallium | ||||
Numéro CAS | 1303-00-0 | ||||
Apparence | solide gris sombre | ||||
Propriétés physiques | |||||
Masse molaire | 144,645 g/mol | ||||
Température de fusion |
1513 K | ||||
Densité | 5,318 | ||||
Structure | |||||
Constante de maille | 0,56533 nm | ||||
Structure cristalline | «Zinc-blende» | ||||
Électronique | |||||
Bande d'énergie à 300 K | 1.424 eV | ||||
Masse effective de l'électron | 0,067 me | ||||
Masse effective du trou léger | 0,082 me | ||||
Masse effective du trou lourd | 0,45 me | ||||
Mobilité électronique à 300 K | 9200 cm²/(V·s) | ||||
Mobilité des trous à 300 K | 400 cm²/(V·s) | ||||
Précautions | |||||
Inhalation | |||||
Peau | |||||
Yeux | |||||
Ingestion | {{{ingestion}}} | ||||
Autres infos | toxique, se décompose en Arsenic (très toxique) |
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Unités du SI & CNTP, sauf indication contraire. |
L'arséniure de gallium (GaAs) est un composé chimique d’arsenic et de gallium.
C'est un matériau semi-conducteur utilisé en particulier pour réaliser des composants micro-ondes et des composants opto-électroniques, diodes électro-luminescentes par exemple.
Le GaAs est un semi-conducteur dit « III-V » car le gallium et l’arsenic présentent respectivement 3 et 5 électrons de valence.
[modifier] Voir aussi
- Trimethylgallium
- Phospho-arséniure de gallium
- Arséniure de gallium-aluminium
- (en) Fiche de données de sécurité
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