MESFET
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MESFET è l'acronimo di Metal-Semiconductor Field Effect Transistor. In termini di costruzione e terminologia è simile ad un JFET. La differenza è che invece di utilizzare una giunzione p-n per il gate, questo viene realizzato mediante l'uso di una giunzione Schottky (metallo-semiconduttore). I MESFET sono normalmente costruiti in GaAs, InP o SiC (mai silicio) e sono dunque più veloci ma più costosi dei JFET o dei MOSFET realizzati in silicio. I MESFET possono operare fino a frequenze di circa 30 GHz e sono comunemente usati nelle telecomunicazioni a microonde e per i radar. Dal punto di vista del design di circuiti digitali, l'uso dei MESFET è particolarmente difficoltoso.
