電力用半導体素子
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電力用半導体素子（でんりょくよう はんどうたいそし）は、電力機器向けの半導体素子である。電力の変換や制御用に最適化されており、パワーエレクトロニクスのキーデバイスである。通常の半導体素子に比べて高耐圧化、大電流化、高速・高周波化されているのが特徴である。一般的にはパワーデバイスと呼ばれ、整流ダイオード、パワートランジスタ、パワーMOSFET、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、サイリスタ、ゲートターンオフサイリスタ(GTO)、トライアックなどが知られている。
通電制御の可否にかかわらず一方向に損失なく電流を流すことができる素子を、バルブデバイスと呼び、電力用半導体素子はその内に含まれ、半導体バルブデバイスと呼ばれる。
定格電圧、定格電流は用途や素子の構造により異なるが、定格電圧は 220 ボルト電源ラインと 440 ボルト電源ラインに対応した 600 ボルトと 1200 ボルトが一般的で、定格電流は 1 アンペアから 1 キロアンペア以上と幅が広い。
複数の素子を一つのパッケージにモジュール化したパワーモジュールや、制御回路・駆動回路・保護回路なども含めてモジュール化したインテリジェントパワーモジュールもある。
