Insulated Gate Bipolar Transistor
Van Wikipedia
De Insulated (of Isolated) Gate Bipolar Transistor is een transistor die veel vermogen kan schakelen welke met een kleine stuurspanning uit bijvoorbeeld een microprocessor aangestuurd kan worden. Deze transistor combineert de gate karakteristiek van een MOSFET transistor met de mogelijkheid tot de grote stroom en lage verzadigingsspanning van de Bipolaire transistor door een MOSFET en een Bipolaire vermogenstransistor in een enkele behuizing te plaatsen. Omdat het blokkerende vermogen van een IGBT klein is wordt er een diode in serie geplaatst. Een IGBT heeft een relatief hoge doorlaatspanning ca 3,5 Volt.
