Гетеропереход
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Гетеропереходом называют контакт двух разных полупроводников. Обычно используют для создания потенциальных ям для электронов и дырок в слоистых полупроводниковых структурах (гетероструктурах). Например, лазер на двойном гетеропереходе делают на основе GaAs. В узкий слой GaAs, который обладает более узкой шириной запрещённой зоной, чем расположенные по краям слои AlGaAs, инжектируются электроны и дырки, которые рекомбинируют с испусканием фотонов. Модулированно-легированные гетероструктуры используют для получения высокоподвижного двумерного электронного газа, который необходим для исследований дробного квантового эффекта Холла, а также для создания полевых и биполярных транзисторов для сверхбыстрой электроники. Комбинируя различные полупроводники можно создать и другие интересные структуры: сверхрешётки, структуры с множественными квантовыми ямами. Если полупроводники обладают различными постоянными решётки, то возможно создание структур с самоформирующимися квантовыми точками.
