МОП Структура
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
МОП Структура - (МОП - Металл - Оксид - полупроводник) наиболее широко используемая технология производства транзисторов. Название МОП является традиционным названием такой структуры. Структура состоит из металла и полупроводника, разделенных слоем оксида SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл - диэлектрик - полупроводник). Транзисторы на основе МОП-структур, в отличие от биполярных, называются униполярными транзисторами, так как для его работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа.
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми или МОП-транзисторами (в зарубежной литературе MOSFET - metall-oxyde-semiconductor field effect transistor), которые существуют двух типов: n-канальные и p-канальные.
[править] Особенности работы МОП транзисторов
В униполярных транзисторах управляющим сигналом является разность потенциалов на участке сток-исток.
Изменяя входное напряжение (
) изменяется состояние транзистора и 
Вольтамперная характеристика изменения тока стока в зависимости от изменения напряжения на входе.
1. Транзистор закрыт 
2. Крутой участок. 
![I_c=K_n*[(U_3u-U_p)*U_cu - \frac{U_cu^2}{2}]\,\!](../../../math/1/d/9/1d9754dc2e0c70fa8f2bdec5f33bc333.png)
-удельная крутизна транзистора.
3. Дальнейшее увеличение U3u приводит к переходу на пологий участок.
![I_c=\frac{K_n}{2}*[U_3u-U_p]^2\,\!](../../../math/1/2/0/12036fd650f962bb093c2b0d65f3cd2c.png)
- Уравнение Ховстайна.
 |
Это незавершённая статья по физике. Вы можете помочь проекту, исправив и дополнив её. |
