Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы (анг. Metalorganic chemical vapour deposition) — метод эпитаксиального роста материалов, особенно полупроводников путём термического разложения (пиролиз) из органических газов, содержащих необходимые химические элементы. Например арсенид галлия выращивают на подложки с использованием в реакторе триметил галлия ((CH3)3Ga) и трифенил мышьяка (C6H5)3As). В отличие от молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ)рост происходит не в вакууме, а в присутствии газа при умеренном давлении (от 2 до 100 кПа).
Содержание |
[править] Компоненты реактора
- Реактором называют камеру, сделанную из материала, который химически инертен по отношению к используемым химическим соединениям. Он должен выдерживать высокую температуру. Часто используют специальные стёкла. Сама подложка расположена на подложкодержателе с контролем температуры. Он также сделан из материалов стойких к химическим веществам используемым в процессе (например, иногда используют графит).
- Впуск газа и включающая система. Газ вводится через сопло (анг. 'bubblers'). В сопле газ носитель (обычно азот или водород) продувается через металлорганическую жидкость, и уносит часть металлорганических паров, которые транспортируются до реактора. Количество паров переносимых в реактор зависит от скорости потока газа носителя и температуры сопла.
- система поддержки давления
- Выпуск газа и очистительная система. Токсические отходы производства должны быть сжижены или переведены в твёрдую фазу для последующей повторного использования или утилизации. Идеально процесс производства строится с минимизацией траты продуктов.
[править] Металлорганические газы
список газов используемых для роста полупроводников методом MOCVD.
- Алюминий
- Триметил алюминия CAS 75-24-1
- Триэтил алюминия CAS 97-93-8
- Галлий
- Триметил галлия
- Триэтил галлия
- Триизопропил галлия Ga(C3H7)3
- Индий
- Триметил индия
- Триэтил индия
- Мышьяк
- Арсин AsH3
- Фениларсин
- Кадмий
- Диметил кадмия
- Теллур
- Диметил теллура
- Диэтил теллура
- Диизопропил теллура
[править] Полупроводники выращиваемые с помощью MOCVD
[править] III-V Полупроводники
- Арсенид галлия (GaAs)
- Фосфид индия (InP)
- InGaAs
- InAlAs
- InGaAlAs
- InGaAsP
- InGaAsN
- AlGaAs
- InGaAs
- AlGaP
- InGaP
- InAlP
- InAlP
- Нитрид галлия (GaN)
- InGaN
- InGaAlN
- Антимонид индия (InSb)
[править] II-VI Полупроводники
- Селенид цинка (ZnSe)
- HgCdTe
[править] См.
- Напыление тонких плёнок
- Химическое осаждение из паровой фазы
