Bipolarni tranzistor
Iz Wikipedije, proste enciklopedije
Bípolárni tranzístor (angleško bipolar junction transistor - BJT) je troslojni element. Sestavljen je iz treh polprevodniških plasti tipa PNP ali NPN. Vsaka plast ima svoj priključek (emitor (E), baza (B) in kolektor (C).
Polprevodniški material je germanij ali silicij. Je element z dvema PN spojema. Med emitorjem in bazo je emitorski spoj, med kolektorjem in bazo pa kolektorski spoj. Tranzistor največkrat deluje tako, da je na emitorskem spoju prevodna, na kolektorskem spoju pa zaporna napetost.Temu pravimo tudi aktivno področje delovanja.
[uredi] Polarizacija pn zapornih plasti tranzistorja
Polarizacija pn zapornih plasti tranzistorja je razporeditev polaritete napajalne enosmerne napetosti na obeh zapornih plasteh (emitorski oziroma kolektorski spoj). Tranzistor mora biti vključen v tokokrog enosmerne napetosti tako, da je emitorski spoj polariziran prevodno, kolektorski spoj pa zaporno.Pri silicijevih tranzistorjih je padec napetosti na emitorskem spoju približno 0,6V pri germanijevih pa ta napetost znaša od 0,15V do 0,2V.
