能隙
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能隙（Bandgap、energy gap）或譯作能帶隙，在固態物理學中泛指半導體或是絕緣體的價帶（valence band）頂端至傳導帶（conduction band）底端的能量差距。
對一個本徵半導體（intrinsic semiconductor）而言，其導電性與能隙的大小有關，只有獲得足夠能量的電子才能從價帶被激發，跨過能隙並躍遷至傳導帶。利用費米-狄拉克統計（Fermi-Dirac Statistics）可以得到電子佔據某個能階（energy state）E0的機率。又假設E0 > > EF，EF是所謂的費米能階（Fermi level），電子佔據E0的機率可以利用波茲曼近似簡化為：
在上式中，Eg是能隙的寬度、k是波茲曼常數（Boltzmann's Constant），而T則是溫度。
半導體材料的能隙可以利用一些工程手法加以調整，特別是在化合物半導體中，例如控制砷化鎵鋁（AlGaAs）或砷化鎵銦（InGaAs）各種元素間的比例，或是利用如分子束磊晶（Molecular Beam Epitaxy, MBE）成長出多層的磊晶材料。這類半導體材料在高速半導體元件或是光電元件，如異質接面雙載子電晶體（Heterojunction Bipolar Transistor, HBT）、雷射二極體，或是太陽能電池上已經成為主流。
