MOSFET
Z Wikipedie, otevřené encyklopedie
Tranzistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) je polem řízený tranzistor, kde je vodivost kanálu mezi elektrodami Source a Drain ovládána elektrickým polem vytvářeným ve struktuře kov(M)-oxid(O)-polovodič(S) napětím přiloženým mezi hradlo (Gate) a Source.
Oxid nejčastěji tvoří SiO2 z důvodu jeho relativně snadné přípravy na povrchu křemíku. Elektroda hradla může být tvořena hliníkem. V technologii integrovaných obvodů je dnes velmi rozšířeno použití dotovaného polykrystalického křemíku, protože umožňuje výrobu tranzistorů s větší hustotou integrace a menšími parazitními kapacitami.
Tranzistory MOSFET jsou základním aktivním prvkem drtivé většiny současné elektroniky, ve většině oblastí vytlačily klasické bipolární tranzistory. Používají se nejen v signálových digitálních a analogových obvodech, ale také ve výkonové elektronice, kde bylo jejich využití donedávna limitováno díky křemíkové technologii napětím zhruba 600V. V současnosti se již podařilo vyrobit tranzistory MOSFET i na bázi SiC (silikon-karbid) a GaAs (galium arsenid), což umožní rozšířit aplikační oblast do vyšších napětí a frekvencí.
