Celulă solară

De la Wikipedia, enciclopedia liberă

O celulă solară tipică

O celulă solară constă din două sau mai multe straturi de material semiconductor, cel mai întâlnit fiind siliciul. Aceste straturi au o grosime cuprinsă între 0,001 şi 0,2 mm şi sunt dopate cu anumite elemente chimice pentru a forma joncţiuni „p” şi „n”. Această structură e similară cu a unei diode. Când stratul de siliciu este expus la lumină se va produce o „agitaţie” a electronilor din material şi va fi generat un curent electric.

Celulele, numite şi celule fotovoltaice, au de obicei o suprafaţă foarte mică şi curentul generat de o singură celulă este mic dar combinaţii serie, paralel ale acestor celule pot produce curenţi suficient de mari pentru a putea fi utilizaţi în practică. Pentru aceasta, celulele sunt încapsulate în panouri care le oferă rezistenţă mecanică şi la intemperii.

Polykristalline Silizium-Solarzellen in einem Solarmodul

Solar-Panel

Cuprins

1 Clasificare
2 Celule solare pe bază de siliciu
3 Alte tipuri de celule solare
4 Istoric
5 Forme şi mărimi
6 Îmbătrânirea
- 6.1 Celule solare cristaline
- 6.2 Celule solare amorfe
7 Caracteristici tehnice
- 7.1 Scheme de conectare
  - 7.1.1 Schemă echivalentă simplificată
  - 7.1.2 Schemă echivalentă extinsă (Model cu una sau două diode)
8 Amortizarea energetică şi eficienţa energetică
9 Protecţia mediului
10 Fabricanţi de celule solare (Extras)
- 10.1 Germania
- 10.2 În afara Germaniei
11 Alte firme în industria tehnologiei solare
12 Surse
13 Legături externe
14 Vezi şi

[modifică] Clasificare

Celulele solare pot fi clasificate după mai multe criterii. Cel mai folosit criteriu este după grosimea stratului materialului. Aici deosebim celule cu strat gros şi celule cu strat subţire.

Un alt criteriu este felul materialului: se întrebuinţează, de exemplu, ca materiale semiconductoare combinaţiile CdTe, GaAs sau CuInSe, dar cel mai des folosit este siliciul.

După structură de bază deosebim materiale cristaline(mono-/policristaline) respectiv amorfe.

În fabricarea celulelor fotovaltaice pe lângă materiale semiconductoare, mai nou, există posibiltatea utilizării şi a materialelor organice sau a pigmenţilor organici.

[modifică] Materiale

Celule pe bază de siliciu
- Strat gros
  - Celule monocristaline (c-Si)
    randament mare - în producţia în serie se pot atinge până la peste 20 % randament energetic, tehnică de fabricaţie pusă la punct; totuşi procesul de fabricaţie este energofag, ceea ce are o influenţă negativă asupra periodei de recuperare (timp în care echivalentul energiei consumate în procesul de fabricare devine egal cantitatea de energia generată).
  - Celule policristaline (mc-Si)
    la producţia în serie s-a atins deja un randament energetic de peste la 16 %, cosum relativ mic de energie în procesul de fabricaţie, şi până acum cu cel mai bun raport preţ – performanţă.
- Strat subţire
  - Celule cu siliciu amorf (a-Si)
    cel mai mare segment de piaţă la celule cu strat subţire; randament energetic al modulelor de la 5 la 7 %; nu există strangulări în aprovizionare chiar şi la o producţie de ordinul TeraWatt
  - Celule pe bază de siliciu cristalin, ex. microcristale (µc-Si)
    în combinaţie cu siliciul amorf randament mare; tehnologia aceeaşi ca la siliciul amorf
Semiconductoare pe bază de elemente din grupa III-V
- Celule cu GaAs
  randament mare, foarte stabil la schimbările de temperatură, la încălzire o pierdere de putere mai mică decât la celulele cristaline pe bază de siliciu, robust vizavi de radiaţia ultravioletă, tehnologie scumpă, se utilizează de obicei în industria spaţială (GaInP/GaAs, GaAs/Ge)
Semiconductoare pe bază de elemente din grupa II-VI
- Celule cu CdTe
  utilizează o tehnologie foarte avantajoasă CBD(depunere de staturi subţiri pe suprafeţe mari în mediu cu pH , temperatură şi concentraţie de reagent controlate) ; în laborator s-a atins un randament de 16 %, dar modulele fabricate până acum au atins un randament sub 10 %, nu se cunoaşte fiabilitatea. Din motive de protecţia mediului este improbabilă utilizarea pe scară largă.
Celule CIS, CIGS
CIS este prescurtarea de la Cupru-Indiu-Diselenid produs în staţie pilot la firma Würth Solar în Marbach am Neckar, respectiv Cupru-Indiu-Disulfat la firma Sulfurcell în Berlin, iar CIGS pentru Cupru-Indiu-Galiu-Diselenat produs în staţie pilot în Uppsala/Suedia. Producătorii de mai sus promit trecerea la producţia în masă în anul 2007.
Celule solare pe bază de compuşi organici
Tehnologia bazată pe chimia organică furnizează compuşi care pot permite fabricarea de celule solare mai ieftine. Prezintă, totuşi, un impediment faptul că aceste celule au un randament redus şi o durată de viaţă redusă (max. 5000h). Încă (ianuarie 2007) nu există celule solare pe bază de compuşi organici pe piaţă.
Celule pe bază de pigmenţi
Numite şi celule Grätzel utilizează pigmenţi naturali pentru transformarea luminii în energie electrică; o procedură ce se bazează pe efectul de fotosinteză. De obicei sunt de culoare mov.
Celule cu electrolit semiconductor
De exemplu soluţia: oxid de cupru/NaCl. Sunt celule foarte uşor de fabrict dar puterea şi siguranţa în utilizare sunt limitate.
Celule pe bază de polimeri
Deocamdată se află doar în fază de cercetare.

[modifică] Rezervele de materia primă

Ca materie primă de bază siliciul este disponibil în cantităţi aproape nelimitate. Pot apare însă strangulări în aprovizionare datorate capacităţilor de producţie insuficiente şi din cauza tehnologiei energofage.

La celulele solare ce necesită materiale mai speciale cum sunt cele pe bază de indiu, galiu, telur şi seleniu situaţia se prezintă altfel. La metalele rare indiu şi galiu consumul mondial (indiu cca. 850 t, galiu cca. 165 t) depăşeşte deja de mai multe ori producţia anulă (USGS Minerals Information). Deosebit de critică este situaţia datorită creşterii accentuate a consumului de indiu în formă de indiu – oxid de zinc în ecranele cu cristale lichide şi cele cu LED organic, precum şi utilizării de galiu şi indiu în producţia diodelor luminiscente (LED) care se comercializează în surse de lumină cu consum mic de energie respectiv ca sursă de lumină de fundal în televizoare cu ecran plat.

Rezervele de indiu, estimate la 6000 tone(economic exploatabile 2800 tone), se presupune că se vor epuiza deja în această decadă (Neue Zürcher Zeitung 7. Dezember 2005) (reserve de indiu conform USGS Mineral Commodity Summaries (2006)).

La seleniu şi telur, care e şi mai greu de găsit, situaţia pare mai puţin critică, deoarece ambii metaloizi se regăsesec în cantităţi mici în nămolul anodic rezultat în urma procesului de electroliză a cuprului iar producătorii de cupru utilizează doar o parte din nămolul rezultat pentru extragerea de telur şi seleniu. Rezervele exploatabile economic la seleniu se estimează totuşi la doar 82000 tone, iar la telur la doar 43000 tone, vizavi de cupru unde se estimează la 550 milioane tone!

Multe procese de producţie utilizează galiu, indiu, seleniu şi telur în mod neeconomic.

Spre deosebire de cupru, unde procesul de reciclare este pus la punct, la galiu, indiu, seleniu şi telur procesul de reciclare nu este posibil deoarece aceste elemente se găsesc incluse în structuri multistrat foarte fin distribuite de unde recuperarea, se pare, nici în viitor nu va fi posibilă.

[modifică] Moduri de construcţie

Pe lângă materia primă o importanţă mare prezintă tehnologia utilizată. Se deosebesc diferite structuri şi aranjamente în care se depun electrozii de acoperire transparenţi a căror rezistenţă nu este deloc neglijabilă.

Alte tehnici vizează mărirea eficienţei asigurând absorbţia unui spectru de frecvenţă cât mai larg prin suprapunerea mai multor materiale cu diferite caracteristici de absorbţie. Se încearcă selectarea materialelor în aşa fel încât spectrul luminii naturale să fie absorbit la maximum.

Actualmente celulele solare pe bază de materiale semiconductoare cele mai des comercializate sunt cel pe bază de siliciu.

Celulele solare pe bază de materiale semiconductoare utilizate pentru producerea de energie electrică sunt legate în module. Pe un modul se află mai multe rânduri de celule solare conectate în serie între ele pe faţa şi pe reversul modulului permiţând, datorită tensiunii însumate, utilizarea unor conductori cu secţiune mai mică decât la legarea în paralel. Pentru protejarea unei celule solare împotriva efectului de avalanşă în joncţiune, datorată potenţialului mai mare (apărută de exemplu la umbrirea parţială a modulului), trebuie incorporate paralel cu celulele solare diode de protecţie(bypass).

Sistemele de panouri solare sunt înzestrate uneori cu mecanisme de orientare, panoul fiind în permanenţă direcţionat pentru a exploata la maximum energia solară incidentă.

Randamentul termodinamic maxim teoretic pentru producerea de energie din lumina solară este de 85 %. Acesta se calculează din temperatura suprafeţei soarelui(5800 °K), temperatura maximă de absorbţie(<2500 °K, tempertura de topire a materialelor greu fuzibile) şi temperatura mediului înconjurător(300 °K).
Dacă se utilizează doar o porţiune din spectrul luminii solare, valoarea teoretică se reduce în funcţie de lungimea de undă, până la 5-35 %. Neutilizarea spectrului complet este una din dezavantajele celulelor solare faţă de centralele solare termice.

Absorbţia radiaţiei solare de către Siliciu (mono- und policristalin)

Absorbţia radiaţiei solare de către Gallium-Antimonat

[modifică] Principiu de funcţionare

Principiul de funcţionare a celulei solare cu semiconductori: Fotoni incidentali eliberează electroni şi goluri, care se vor separa în câmpul electric al zonei de sarcină spaţială a joncţiunii p-n

Structura unei celule solare simple cu impurificare pin - positive intrinsic negative.

Celulele solare pe bază de materiale semiconductoare în principiu sunt construite ca nişte fotodiode cu suprafaţă mare care însă nu se utilizează ca detectoare de radiaţii ci ca sursă de curent.
Interesant la acest tip de semiconductoare este că prin absorbţie de energie (căldură sau lumină) eliberează purtători de sarcină (electroni şi goluri). Este nevoie de un câmp electrostatic intern pentru ca din aceşti purtători să se creeze un curent electric dirijându-i în direcţii diferite.
Acest câmp electric intern apare în dreptul unei joncţiuni p-n. Pentru că intensitatea fluxului luminos scade exponenţial cu adâncimea, această joncţiune este necesar să fie cât mai aproape de suprafaţa materialului şi să se pătrundă cât mai adânc. Această joncţiune se creează prin impurificarea controlată. Pentru a realiza profilul dorit, în mod normal se impurifică „n” un strat subţire de suprafaţă şi „p” stratul gros de dedesubt în urma căruia apare joncţiunea. Sub acţiunea fotonilor apar cupluri electron-gol în joncţiune, din care electronii vor fi acceleraţi spre interior, iar golurile spre suprafaţă. O parte din aceste cupluri electron-gol se vor recombina în joncţiune rezultând o disipare de căldură, restul curentului putând fi utilizat de un consumator, încărcat într-un acumulator sau prin intermediul unui invertor livrat în reţeaua publică. Tensiunea electromotare maximă la bornele unei celule solare (de exemplu la cele mai utilizate, celulele de siliciu cristaline) este de 0,5 V.

Structura celulelor solare se realizează în aşa mod încât să absoarbă cât mai multă lumină şi să apară cât mai multe sarcini in joncţiune. Pentru aceasta electrodul de suprafaţă trebuie să fie transparentă, contactele la acest strat să fie pe cât posibil de subţiri, pe suprafaţă se va aplica un strat antireflectorizant pentru a micşora gradul de reflexie a luminii incidente. Acestui strat antireflectorizant i se atribuie culoare negru-albăstruie a celulelor solare care fără aceasta ar avea o culoare gri-argintie.

La celulele solare moderne se obţine din nitrat de siliciu prin procedeul PE-CVD(pe o suprafaţă încălzită se depun în urma unei reacţii chimice componente extrase dintr-o fază gazoasă) un stratul antireflectorizant de cca 70 nm grosime (sfert de lungime de undă la un coeficient de refracţie de 2,0). Se mai utilizează straturi reflectorizante din SiO2 şi TiO2 ce se depun prin procedeul AP-CVD.

Grosimea stratului influenţează culoarea celulei (culoarea de interferenţă). Grosimea stratului trebuie să fie cât se pote de uniformă, deoarece abateri de câţiva nanometri măresc gradul de reflexie. Celulele îşi datorează culoarea albastră realizării unei grosimi ce corespunde lungimii de undă a culorii roşii, culorea cea mai bine absorbită de siliciu. În principiu însă în acest mod se pot realiza celule roşii, galbene, sau verzi la cerinţe arhitectonice deosebite, dar vor avea un randament mai slab. În cazul nitratului de siliciu şi a bioxidului de siliciu stratul antireflectorizant mai are şi un rol de a reduce viteza de recombinare superficială.

[modifică] Celule solare pe bază de siliciu

Celulă solară multicristalină

o placă (wafer) multicristalină

Materialul cel mi utilizat pentru fabricarea de celule solare pe bază de semiconductori este Siliciul. Dacă la început pentru producerea celulelor solare se utilizau deşeuri rezultate din alte procese tehnologice pe bază de semiconductori, astăzi se apelează la materiale special în acest scop fabricate. Pentru industria semiconductorilor siliciul este materialul aproape ideal. Este ieftin, se poate produce întru-un singur cristal la un înalt grad de puritate, şi se poate impurifica(dota) în semiconductor de tip “n” sau “p”. Prin simpla oxidare se pot crea straturi izolatoare subţiri. Totuşi lărgimea zonei interzise fac siliciul mai puţin potrivit pentru exploatarea directă a efectului fotoelectric. Celule solare pe bază pe siliciu cristalin necesită o grosime de strat de cel puţin 100 µm sau mai mult pentru a pute absorbi lumina solară eficient. La celulele cu strat subţire de tip semiconductor direct ca de exemplu GaAs sau chiar siliciu cu structura cristalină puternic perturbată (vezi mai jos), sunt suficiente 10 µm.

În funcţie de starea cristalină se deosebesc următoarele tipuri de siliciu:

Monocristaline Celulele rezultă din aşa numitele Wafer (plăci de siliciu dintr-un cristal). Aceste cristale reprezintă materia de bază pentru industria de semiconductori şi sunt destul de scumpe.
Policristaline Celulele sunt din plăci care conţin zone cu cristale cu orientări diferite. Acestea pot fi fabricate de exemplu prin procedeul de turnare, sunt mai ieftine şi ca atare cele mai răspândite în producţia de dispozitive fotovoltaice. Deseori ele se numesc şi celule solare policristaline.
Amorfe Celulele solare constau dintr-un strat subţire de siliciu amorf (fără cristalizare) şi din această cauză se numesc celule cu strat subţire. Se pot produce de exemplu prin procedeul de condensare de vapori de siliciu şi sunt foarte ieftine, dar au un randament scăzut în spectru de lumină solară, totuşi au avantaje la lumină slabă. De aceea se utilizează în calculatoare de buzunar şi ceasuri.
Microcristaline Acestea sunt celule cu strat subţire cu structură microcristalină. Au un randament mai bun decât celulele amorfe şi nu au un strat atât de gros ca cele policristaline. Se utilizează parţial la fabricarea de panouri fotovoltaice, dar nu sunt atât de răspândite.
Celule solare tandem sunt straturi de celule solare suprapuse, deobicei o combinaţie de straturi policristaline şi amorfe. Straturile sunt din materiale diferite şi astfel acordate pe domenii diferite de lungimi de undă a luminii. Prin utilizarea unui spectru mai larg din lumina solară, aceste celule au un randament mai mare decât celulele solare simple. Se utilizează parţial la fabricarea de panouri solare dar sunt relativ scumpe. O ieftinire apreciabilă se va obţine prin utilizarea în combinaţie cu sisteme de lentile, aşa numitele sisteme de concentrare.

[modifică] Fabricaţia având la bază blocuri sau bare de siliciu

Celulele solare obisnuite pot fi confecţionate după mai multe metode de fabricaţie.

monocristal de siliciu utilizat la fabricarea plăcilor de siliciu după procedeul Czochralski

Materia primă siliciu este al doilea element chimic din compoziţia scoarţei terestre în privinţa cantitatăţii. Se regăseşte în compuşi chimici cu alte elemente formând silicate sau cuarţ. Siliciul brut numit şi siliciu metalurgic se obţine din quarţ prin topire în furnal.Reducera siliciului se petrece cu ajutorul carbonului la o temperatura de cca 1700 °C, rezultând la fiecare tonă de siliciu metalurgic de puritate de cca 98-99 % în jur de 1,5 T de CO2. Prin acest procedeu în 2002 s-au produs 4,1 T siliciu. Mare parte din acesta este utilizat de industrie la fabricare a oţelului şi în industria chimică şi numai o mică parte în microelectronică şi la fabricarea de celule fotovoltaice.
Din siliciul brut printr-un proces de fabricaţie în trepte bazat pe triclorsilan se obţine siliciul policristalin de cea mai mare puritate.
Până în prezent (2006) în producţie se recurge la o tehnologie Siemens bazat pe un procedeu de tip CVD condensare de vapori de siliciu, procedeu elaborat şi optimizat pentru ramura de microelectronică. În microelectronică cerinţele de calitate sunt total diferite de cele din fabricarea de celule fotovoltaice. Pentru fabricarea de celule solare este foarte importantă puritatea plăcii de siliciu în toată masa ei pentru a asigura o cât mai mare durată de viaţă pentru purtătorii de sarcină, pe când în microelectronică cerinţa de foarte înaltă puritate se rezumă în principiu la stratul superior până la o adâncime de 20-30 µm. Deoarece între timp consumul de siliciu de înaltă puritate pentru fabricarea de celule fotovoltaice a întrecut pe cel pentru microelectronică, actualmente se fac cercetări intense pentru elaborarea de procedee de fabricare speciale mai ieftine optimizate pentru celule solare.

Cu toate că procesul de producţie a siliciului pur este foarte energofag, energia consumată la fabricareaa celulelor solare, în funcţie de tehnologia utilizată, se poate recupera în 1,5 până la 7 ani. Dacă se ia în considerare că durata de viaţă a panourilor solare este de peste 20 ani bilanţul energetic rezultat este pozitiv.

Siliciul pur în continuare poate fi prelucrat în mai multe feluri. Pentru celule policristaline amintim procedeele de turnare Bridgman şi EVG, pe când pentru cele monocristaline procedeul Czochralski. În fiecare din acestea în procesul fabricare a blocurilor sau barelor se face simultan şi impurificare cu Bor (vezi mai jos).

[modifică] Procedeul de turnare

Acesta se utilizează la fabricarea siliciului policristalin. Siliciul pur se topeşte într-un cuptor cu inducţie după care se toarnă într-un recipient de formă pătrată în care se supune la un proces de răcire cât mai lent posibil în cursul căruia vor apare cristale cât mai mari posibil. Recipientul are dimensiunile 50*50 cm, masa solidificată având înălţimea de 30 cm. Blocul astfel solidificat se taie în mai multe blocuri mai mici cu lungimea de 30 cm. Un alt mod reprezintă turnare continuă, procedeu prin care materialul este turnat direct pe support la dimensiunile cerute. Avantajul constă în eliminare pierderilor rezultate din tăiere.

Un alt mod reprezintă turnarea continuă, procedeu prin care materialul este turnat direct pe support la dimensiunile cerute. Avantajul constă în eliminare pierderilor rezultate din tăiere.

[modifică] Procedeul Bridgman

Procedeul numit după Percy Williams Bridgman este aplicat tot în procesul de fabricare a siliciului policristalin. Siliciul pur se topeşte tot într-un cuptor cu inducţie dar procesul de răcire în urma căruia în masa topită se formează mari zone ocupate de câte un cristal are loc chiar în cuptor. Materialul se supune unei încălziri progresive pornind de la bază astfel încât în momentul topirii stratului superior, la bază deja se produce întărirea materialului. Dimensiunile blocurilor obţinute sunt mai mari (60*60 cm –70*70 cm) cu înălţimea de 20-25 cm, şi se procedează la tăierea lor în bloduri mai mici având lungimea de 20-25 cm.

[modifică] Procedeul Czochralski

Este utilizat la fabricarea de bare lungi monocristaline. Înainte de tăierea plăcilor necesare celulelor, barele cilindrice rezultate se ajustaează astfel încât să prezinte o secţiune pătrată.

[modifică] Procedeul de topire zonală

Se mai numeşte şi procedeu Float-Zone şi se aplică tot la producerea monocristalelor de siliciu sub formă de bară. Puritatea materialului obţinut fiind superioară celei necesitate în confecţionarea celulelor solare, şi costurile fiind mari, prodedeul este rar utilizat. Singura firmă ce utilizează acest procedeul este SunPower din Statele Unite.

[modifică] Fabricare de waferi (discuri/plăci subţiri de siliciu)

Din barele de cristal vor fi secţionate plăcuţe(wafer) cu un fierăstrău special constând dintr-o sârmă lungă pe care s-au aplicat particule de diamant şi care este înfăşurată pe cilindri ce se rotesc. Un bloc este complet secţionat în plăcuţe de cca 0,18…0,28 mm la o singură trecere. Praful rezultat în urma debitării este inutilizabil şi reprezintă până la 50 % din material.

Pentru obţinerea de plăcuţe de siliciu la început se utiliza materia primă excedentară rezultată din fabricarea de circuite integrate, care nu corespundea calitativ dar era potrivită pentru fabricarea celulelor solare. Datorită cererii mult crescute a producţiei de panouri solare, această sursă are o importanţă nesemnificativă.

Celulele monocristaline prezintă o suprafaţă omogenă, pe când la celulele policristaline se pot deosebi zone distincte cu cristale având orientări diferite, ceea ce creează o imagine asemănătoare florilor de gheaţă.

În stadiul de plăcuţă(wafer) faţa şi reversul plăcuţei nu se deosebesc.

[modifică] Prelucrarea plăcilor de siliciu

Plăcile debitate vor fi trecute prim mai multe băi de spălare chimică pentru a înlătura defectele de debitare şi a pregăti o suprafaţă potrivită captării luminii. Pentru aceasta s-au elaborat diferite procedee utilizate de fabricanţi.

În mod normal în această fază plăcile sunt deja impurificate cu bor. Aceasta înseamnă că se găseşte deja un surplus de goluri care pot capta electroni deci avem o impurificare tip “p”. Pe parcursul procesului de fabricare a celulei solare pentru crearea unei joncţiuni “p-n” este necesar să impurificăm suprafaţa ei cu impurităţi de tip “n” ceea ce se poate realiza într-un cuptor într-o atmosferă de fosfor. Atomii de fosfor pătrund în suprafaţă şi vor crea o zonă de cca 1 µm cu un surplus de electroni.

Pasul următor va consta în adăugarea unui electrod transparent din SiN_x sau TiO₂ .

Urmează imprimarea zonelor de conact şi a structurii necesare pentru colectarea curentului generat. Faţa celulei este prevăzută de cele mai multe ori cu două benzi pe care ulterior se vor fixa legăturile dintre mai multe celule. În afară de aceasta se va aplica o grilă conductoare foarte subţire , care pe de o parte deranjează foarte puţin intrarea luminii, pe de altă parte micşorează rezistenţa electrică a electrodei. Reversul plăcii de regulă este complet acoperit cu un material bun conductor de electricitate.

După procesare, celulele vor fi clasificate după proprietăţile lor optice şi electrice, mai apoi sortate şi asamblate în panouri solare.

[modifică] Fabricarea plăcilor semiconductoare în mod direct

În dorinţa de a se evita detaşarea plăcilor din blocuri , se găsesc diferite alte modalităţi ce permit fabricarea celulelor solare.

[modifică] Procedeul EFG

EFG este prescurtarea de la Edge-defined Film-fed Growth. Prin acest procedeu dintr-o cadă de grafit încălzită electric se trag în sus tuburi octogonale de cca 6 până la 7 m cu o viteză de cca 1 mm/s. Lăţimea unei feţe este de 10-12.5 cm, iar grosimea peretelui atinge cca 280 µm. Apoi tuburile vor fi tăiate de-a lungul canturilor cu un laser NdYAG, după care fiecare faţetă pe baza unei grile de-a latul. Astfel se pot realiza celule cu diferite dimensiuni (de exemplu 12.5*15 cm sau 12.5*12.5 cm). În acest fel se obţine o întrebuinţare de 80 % a materialului disponibil. Celulele astfel realizate sunt deobicei policristaline, care la vedere se deosebesc clar de cele debitate, printre altele suprafaţa lor este mai ondulată. Acest procedeu se mai numeşte şi procedeu octagonal sau de extrudare.

Procedeul EFG este utilizat de firma Schott Solar în Germania şi afost dezvoltat de firma ASE Solar din Statele Unite.

[modifică] Procedeul String-Ribbon

Mai există un procedeu dezvoltat de firma Evergreen Solar din Statele Unite care constă în tragerea cu ajutorul a două fire a unei pelicule din siliciul topit. În cursul acestui proces rezultă mai puţine deşeuri (şpan ce trebuie înlăturat) ca la procedeele uzuale.

[modifică] Procedeul cu transfer de strat

La acest procedeu direct pe un substrat (corp subţire solid, deobicei cu o orientare cristalină predefinită) se creşte un monocristal de siliciu sub forma unui strat de cca 20 µm grosime. Ca material purtător se pot utiliza substraturi ceramice, sau siliciu supus unui tratatament superficial. Placa(wafer) formată ca fi deprinsă de stratul purtător care în continuare va putea fi reutilizată. Avantajele procedeului constau în consumul de siliciu semnificativ redus datorită grosimii mici, şi lipsa deşeurilor din debitare (pas ce nu mai mai apre în acest procedeu). Randamentul atins este mare şi se situează în domeniul celulelor monocristaline.

[modifică] Celule din siliciu „murdar“

Procesul de topire şi impurificare zonală se poate aplica şi în cazul suprafeţelor plate/straturi. Principiul constă în faptul că impurificarea, prin tratamentul termic (multiplă retopire prin deplasare laterală de exemplu cu ajutorul unui fascicol laser) al siliciului, poate fi concentrată în câteve locuri.^[1].

[modifică] Alte tipuri de celule solare

[modifică] Celule solare cu strat subţire

Celule solare cu strat subţire din siliciu amorf pe sticlă, 4 celule pe rând

Vedere din spate (din partea stratului, lăcuit maro)

Tipuri de celule solare

Celulele solare cu strat subţire se găsesc în diferite variante după substrat şi materialul condensat având o varietate a proprietăţilor fizice şi a randamentului pe măsură. Celulele solare cu strat subţire se deosebesc de celulele tradiţionale (celule solare cristaline bazate pe plăci de siliciu) înainte de toate în tehnologia de fabricaţie şi grosimea stratului materialului întrebuinţat. Proprietăţile fizice ale siliciului amorf, care se deosebesc de cele ale siliciului cristalin determină proprietăţile celulelor solare. Anumite proprietăţi nu sunt încă pe deplin clarificate din punct de vedere teoretic.

Chiar şi la celulele solare cristaline lumina este absorbită deja într-un strat superficial (de o adâncime de cca 10 µm). Ar fi deci de preferat să se fabrice celulele solare cu un strat foarte subţire. În comparaţie cu celulele din plăci de siliciu cristalin celule cu strat subţire sunt de 100 de ori mai subţiri. Celulele cu strat subţire se obţin de cele mai multe ori prin condensarea din fază gazoasă direct pe un material purtător care poate fi sticlă, folie metalică, material sintetic, sau alt material. Procesul costisitor de debitare a blocurilor de siliciu descris în capitolul anterior poate fi deci eliminat.
Cel mai întrebuinţat material pentru celulele cu strat foarte subţire este siliciul amorf (a-Si:H). Modulele cu celule de acest tip au o durată de viaţă lungă. Testele confirmă un randament stabil pe o perioadă de mai mult de 10 ani.
Alte materiale ce se mai pot întrebuinţa sunt siliciul microcristalin (µc-Si:H), arseniura de galiu (GaAs), teluriura de cadmiu (CdTe) sau legături cupru-indiu-(galiu)-sulf-seleniu, aşa numitele celule CIS, respective celule CIGS unde în funcţie de tip S poate însemna sulf sau seleniu.
Modulele pe bază de celule cu strat subţire CIS au atins deja un randament de 11-12 % vezi ^[2]) egal cu cel al modulelor multicristaline cu siliciu.

Pentru producerea de curent electric este de dorit un randament mai mare, pe care parţial îl pot oferi şi celulele cu strat subţire. Se pot atinge randamente în jur de 20 % (de exemplu 19,2 % cu cellule CIS vezi ^[3]).

Totuşi randamentul nu este singurul criteriu în alegere, de multe ori mai importante sunt costurile la care se poate produce curent cu ajutorul panourilor solare, iar acestea sunt determinate de procedeul de fabricaţie utilizat şi de preţul materiei prime.

Una din proprietăţile avantajoase a celulelor cu strat subţire constă în fapul că nu necesită un substrat rigid ca de exemplu sticlă sau aluminiu. La celulele solare flexibile ce pot fi fixate pe rucsac sau cusute pe haină, se acceptă un randament mai scăzut deoarece factorul greutate este mai important decât transformarea optimă a luminii în energie electrică.

O altă proprietate avantajoasă a celulelor cu strat subţire, mai ales al celor din siliciu amorf este că ele au un mod de fabricaţie mai simplu şi pot avea o suprafaţă efectivă mai mare. Din acest motiv ele au un segment de piaţă semnificativ.

Utilajele de fabricaţie parţial sunt identice cu cele utilizate în fabricarea de ecrane plate, şi se pot obţine straturi cu o suprafaţă de peste 5 m². Cu procedeul de fabricaţie bazat pe siliciu amorf se pot produce şi straturi subţiri din siliciu cristalin, aşa numitul siliciu microcristalin combinînd proprietăţile siliciului cristalin ca material pentru celule solare cu avantajele metodelor utilizate în tehnica filmului subţire. Prin combinarea siliciului amorf şi a celui microcristalin au fost obţinute măriri substanţiale de randament în ultimul timp.

Un procedeu de producere a celulelor cu strat subţire din siliciu este CSG (Crystalline Silicon on Glass); prin acesta se depune un strat subţire de mai puţin de 2 µm direct pe o suprafaţă de sticlă; după un tratament termic se obţine structura cristalină. Circuitele pentru curentul electric se aplică cu ajutorul tehnicii laser şi celei utilizate în imprimantele cu jet de cerneală. Pe baza acestei tehnologii se construieşte o fabrică în Germania, care ar trebui să producă primele module în 2006. (Sursa: CSG Solar)

[modifică] Celule cu concentrator

La acest tip de celulă se economiseşte suprafaţă de material semiconductor prin faptul că lumina este concentrată pe o suprafaţă mai mică prin utilizarea lentilelor, acestea fiind mult mai ieftine decât materialul semiconductor. În mare parte la acest tip de celule se utilizează semiconductori pe bază de elemente din grupa III-V de multe ori aplicate în tandem sau pe trei straturi. Din cauza utilizării lentilelor, panourile cu acest tip de celule trebuie orientate incontinuu perpendicular pe direcţia razelor solare.

[modifică] Celule solare electrochimice pe bază de pigmenţi

Acest tip ce cellule se mai numesc şi celule Grätzel. Spre deosebire de celulele prezentate pînă acum la celule Grätzel curentul se obţine prin absorbţie de lumină cu ajutorul unui pigment, utilizându-se oxidul de titan ca semiconductor. Ca pigmenţi se utilizează în principiu legături complexe al metalului rar ruthenium, dar în scop demonstrativ se pot utiliza şi pigmenţi organici, de exemplu clorofila, sau anthocian (din mure) (dar au o durată de viaţă foarte redusă). Modul de funcţionare al acestui tip de celule nu este încă pe deplin clarificat; este foarte probabilă utilizarea comercială, dar tehnologia de producţie nu este pusă la punct.

[modifică] Celule solare din compuşi organici

Celule solare din compuşi organici utilizează legături carbon-hidrogen care au proprietăţi semiconductoare. În aceşti semiconductori lumina excită goluri/electroni din legăturile de valenţă, care însă au un spectru de lungime de undă destul de restrâns. De aceea deseori se utilizează două materiale semiconductoare cu nivele de energie puţin diferite pentru a împiedica dispariţia acestor purtători. Randamentul pe o suprafaţă de 1cm² se cifrează la maximal 5 % (situaţia la nivel de ianuarie 2007).

[modifică] Celule bazate pe fluorescenţă

Este vorba de celule solare, care mai întâi produc lumină de lungime de undă mai mare prin fenomenul de fluorescenţă, ca mai apoi să o transforme la marginile plăcii.

[modifică] Istoric

Deja şi în Grecia antică se ştia că energia luminii se poate utiliza, astfel se pare că la asediul Siracuzei în anul 212 înaintea erei noastre grecii au concentrat lumina solară cu oglinzi şi au îndreptat-o către flota asediatoare a romanilor, incendiind-o. Tot grecii au fost şi cei care au utilizat energia luminoasă în scop paşnic aprinzând cu ea flacăra olimpică. În 1839 Alexandre Edmond Becquerel a descoperit că o baterie expusă la soare produce mai mult curent electric decât una neexpusă. Pentru acest experiment a măsurat diferenţa de potenţial dintre doi electrozi de platină situaţi unul pe faţa luminată şi celălalt pe faţa umbrită a recipientului şi scufundaţi într-o baie de soluţie chimică acidă . Când a expus această construcţie la soare a observat trecerea unui curent printre electrozi. Aşa a descoperit efectul fotoelectric pe care însă nu îl putea explica încă. Mărirea conductivităţii seleniului a fost demonstrată în 1873. Zece ani mai târziu a fost confecţionat prima celulă fotoelectrică “clasică”. După încă zece ani în 1893 a fost confecţionat prima celulă solară care producea electricitate. În 1904 fizicianul german Philipp Lenard a descoperit că lumina incidentă pe anumite suprafeţe metalice eliberează electroni din suprafaţa acestuia şi astfel a oferit prima explicaţie referitoare la efectul fotoelectric. Totuşi el nu ştia încă de ce şi la care metale se produce acest efect. Cu toate acesta pentru această descoperire el a obţinut premiul Nobel pentru fizică în anul 1905. Rezolvarea problemei a venit de la Albert Einstein în 1905 când cu ajutorul teoriei cuantice a explicat dualitate luminii ea fiind prezentă în acelaşi timp şi ca particulă şi ca undă. Până atunci se credea că lumina este doar energie cu diferite lungimi de undă. Einstein în experimentele sale a constatat că lumina în unele situaţii se comportă ca o particulă, şi că energia fiecărei particule sau foton depinde doar de lungimea de undă. El a descris lumina ca o serie de gloanţe ce ating suprafaţa materialului. Dacă aceste gloanţe au suficientă energie, un electron liber din metalul atins de foton se va elibera din structura acestuia. Totodată a constatat că energia cinetică maximă a electronului este independentă de intensitatea luminii şi depinde doar de energia fotonului care l-a eliberat. Această energie depinde totodată numai de lungimea de undă respectiv frecvenţa luminii. Pentru lucrările sale privind fenomenul fotovoltaic, a obţinut premiul Nobel pentru fizică în anul 1921. Descoperirea în anul 1949 a joncţiunii p-n de către William B. Shockley, Walther H. Brattain şi John Bardeen a fost încă un pas mare în direcţia celulelor. După această descoperire fabricării celulei solare în forma cunoscută astăzi nu îi mai sta nimic în cale. Fabricarea primei celule solare în 1954 în laboratoarele firmei americane Bell se datorează totuşi unei întâmplări fericite. Angajaţii firmei sub conducerea lui Morton Price au observat cînd cercetau un redresor cu siliciu, că acesta producea mai mult curent cînd era expus la soare. Ca urmare firma Bell prin contribuţia domnilor Chapin, Fuller şi Pearson a dezvoltat în 1953 primele celule solare din siliciu impurificate cu arsen dar care aveau un randament de doar 4 % care a fost mărit la 6 % prin schimbarea impurificării. În 1958 au fost testate celule solare pentru prima dată pe sateliul Vanguard I dotat cu un panou solar având 108 celule solare pe bază de siliciu. Rezultetele obţinute au fost peste aşteptări – până în ziua de azi sondele spaţiale până dincolo de marte sunt alimentate cu curent produs de celulele solare, iar în anul 2011 se va lansa sonda spaţială Juno care va fi prima sondă spaţială spre Jupiter alimentată cu curent produs de celule solare. S-au atins în spaţiu randamente de până la 10,5 %. Aceste rezultate nu se puteau realiza pe pămînt şi datorită condiţiilor diferite din spaţiu unde nu se regăseşte ritmul zi-noapte şi lumina naturală nu este absorbită parţial de atmosferă şi nori, totodată radiaţiile cosmice conduc la o îmbătrânire mai rapidă a celulelor solare decât pe pământ. De aceea industria şi cercetarea încearcă obţinerea unor randamente tot mai mari în paralel cu prelungirea duratei de viaţă. Randamentul teoretic pentru celule solare pe bază de siliciu se consideră a fi de 29 % pentru condiţiile de iradiaţie pe spectrul din zona de mijloc. Mandelkorn şi Lamneck au mărit durata de viaţă a celulelor solare în 1972 printr-o reflectare a purtătorilor de sarcină minoritari după ce au introdus un strat numit black surfaces field (BSF) în stratul impurificat “p”. În 1973 Lindmayer şi Ellison au confecţionat aşa numita celulă mov ce avea un randament de 14 %. Prin reducerea reflexiei în 1975 s-a mărit randamentul la 16 %. Aceste celule s-au numit celule CNR (Comsat Non Reflection; Comsat = Telefonsatelit ) şi au fost concepute pentru sateliţi Criza de la începutul anilor 70 a condus la creşterea preţurilor produselor petroliere având ca rezultat creştere preţului energiei. Acest lucru a impulsionat cercetările în domeniul celulelor solare. În 1980 s-a început organizarea de concursuri de automobile acţionate cu energie electrică obţinută de la module solare. În 1981 un avion acţionat de energie solară a traversat Canalul Mânecii. Între timp Green precum şi specialiştii de la Universitatea Stanford şi cei de la Telefunken au dezvoltat cellule solare cu un randament în jur de 20 %.

[modifică] Forme şi mărimi

La începutul comercializării panourilor solare, celulele aveau o formă rotundă, păstrând forma barelor de siliciu din care au fost debitate. Această formă azi este rar utilizată locul ei fiind preluat de formele dreptunghiulare de cele mai multe ori pătrate având colţurile mai mult sau mai puţin teşite. Până la sfârşitul anilor 1990 celulele solare aveau cel mai des mărimea de fabricaţie de 100*100 mm (în jargonul de specialitate numite celule de 4 ţoli). După aceea au fost introduse pe scară tot mai largă celulele cu latura de 125 mm, şi de prin anul 2002 şi celulele cu latura de 150 mm se utilizează tot mai des în modulele standard şi se prevede că nici celulele de 200*200 nu vor fi o raritate în viitor.

În procesul debitare rezultă şi plăci de dimensiuni mai mici, care pot genera aceeaşi tensiune doar cu un curent mai mic datorită suprafeţei mai mici, şi care îşi găsesc aplicaţia în aparatele cu consum mic.

Prin procedeul EFG rezultă şi patrulatere cu laturi de lungimi diferite.

[modifică] Îmbătrânirea

Prin îmbătrânire înţelegem modificarea parametrilor de funcţionare a elementelor semiconductoare a celulelor solare în timp. În cazul de faţă în special scăderea randamentului pe parcursul vieţii acestora.

Perioada luată în considerare este de cca 20 ani, În condiţii de utilizare terestră, randamentul scade cu cca 10 %, pe când în spaţiu acest procent se atinge într-un timp mult mai scurt datorită câmpurilor de radiaţii mult mai puternice.

Pierdere de randament în utilizare se datorează în multe cazuri unor cause banale independente de celulele solare. Aici enumerăm murdărirea suprafeţelor sticlei de protecţie a modulelor, mucegăirea pornind de la rama modulului, umbrirea modulelor de către vegetaţia din jur crescută între timp, ingălbirea polimerilor care constituie materialul de contact între celulă şi sticlă.

[modifică] Celule solare cristaline

La celulele solare actuale randamentul este de cca 12 - 17 %. Adesea fabricantul acordă o garanţie la randament de 80 - 85 % (la puterea de vârf) după 20 ani.Rezultă deci după un timp de utilizare îndelungat pierderi destul de limitate, ceea ce îndreptăţeşte utilizarea sistemelor cu panouri solare.

Pentru îmbătrânirea propriu-zisă a celulelor solare răspunzător sunt defecte provenite din recombinare, ceea ce reduce durata de viaţă a purtătorilor de sarcină cu cca 10 % faţă de valoarea iniţială. În celulele fabricate după procedeul Czochralski îmbătrânire este produsă de crearea de compuşi complecşi cu bor-oxigen.

[modifică] Celule solare amorfe

Aceste celulea ating un grad avansat de îmbătrânire de până la 25 % în primul an de funcţionare de aceea pentru acest tip de panouri solare în caracteristicile tehnice din documentele de însoţire nu se dă puterea atinsă la fabricaţie ci puterea de după procesul de îmbătrânire. Ca urmare acest tip de panouri au caracteristici mai bune la cumpărare decât cele din documente. Îmbătrânirea se produce sub acţiunea luminii şi este rezultatul aşa numitului effect Staebler-Wronski(SWE). În cadrul acestuia siliciul hidrogenat amorf (a-Si:H) metastabil trece printr-o fază de creştere concentraţiei defectelor cu un ordin de mărime, paralel cu scăderea conductivităţii şi deplasarea nivelului Fermi către mijlocul distanţei dintre banda de valenţă şi banda de conducţie. După cca 1000 ore de expunere la soare, celulele de siliciu amorf ating un grad de saturare stabil.

[modifică] Caracteristici tehnice

Parametrii tehnici ai celulelor solare sunt daţi pentru condiţii standard (STC, Standard Test Conditions).:

Intensitate luminoasă de 1000 W/m² în zona panoului,
Temperatura celulei solare constant 25 °C,
Spectrul luminii AM 1,5 global; DIN EN 61215, IEC 1215, DIN EN 60904, IEC 904.

AM 1,5 global indică slăbirea luminii solare la suprafaţa pământului în funcţie de latitudine datorită parcurgerii unei mase mai mari de aer proporţional cu latitudinea (în acest caz se consideră latitudinea de 50°). Aceasta corespunde condiţiilor de vară din Europa centrală din nordul Italiei până în centrul Suediei. În iarnă condiţiile corespund unor valori de AM 4 până la AM 6. Prin absorbţie atmosferică şi spectrul luminii ce cade pe panou se deplasează. Global indică faptul că lumina este compusă atât din lumina difuză cât şi din cea directă.

Este de remarcat că în realitate îndeosebi vara la prânz, temperatura celulelor solare (în funcţie de poziţie, condiţii de vânt etc.) poate atinge 30 până la 60 °C ceea ce are ca urmare o scădere a randamentului. Din acest motiv se ia în calcul un alt parametru, P_NOCT care indică puterea la temperatura de funcţionare normală (normal operating cell temperature).

Caracteristica current-tensiune a unei cellule solare, luminat şi neluminat

Prescurtări utilizate:

SC: Short Circuit - scurtcircuit
OC: Open Circuit - mers în gol
MPP: Maximum Power Point - punctul de putere maximă
PR: Performance Ratio Qualitätsfaktor Factor de performanţă, indică porţiunea în care panoul furnizează curentul la valori nominale.

Caracteristicile unei celule solare sunt:

Tensiunea de mers în gol $U OC$ (auch $V OC$ )
Curentul de scurtcircuit $I SC$
Tensiunea în punctul optim de funcţionare $U MPP$ (auch $V MPP$ )
Curentul în punctual de putere mazimă $I MPP$
Puterea maximă estimată $P MPP$
Factor de umplere $FF = \frac{\rm P_{MPP}}{U_{\rm OC}\cdot I_{\rm SC}}$
Coeficient de modificare a puterii cu temperatura celulei
Randamentul celulei solare $\eta = \frac{P_{\rm MPP}}{A\cdot P_{\rm opt}}$ la o suprafaţă iluminată A şi intensitate luminoasă $P opt$

Celulele solare deci pot ceda o putere de 160 W/ m². Incluse în module puterea pe suprafaţă va fi mai scăzută pentru că între celule şi marginea modulului este o distanţă.

Randamentul este raportul dintre puterea debitată de panou şi putere conţinută în lumina incidentă totală. Semiconductoare cu zona interzisă stabilă utilizează doar o parte a luminii solare. Randamentul teoretic maxim ce poate fi atins în acest caz este de 33 %, pe când randamentul theoretic maxim la sistemele cu mai multe benzi interzise care reacţionează la toate lungimile de undă a luminii solare este de 85 %.

Material	Randament(AM1,5)	Durată de viaţă	Costuri^[4]
Siliciu amorf	5-10 %	< 20 J ani
Siliciu policristalin	10-15 %	25-30 ani	5 EUR/W
Siliciu monocristalin	15-20 %	25-30 ani	10 EUR/W
Arseniura de galiu (monostrat)	15-20 %
Arseniura de galiu (doua straturi)	20 %
Arseniura de galiu (trei straturi)	25 % (30% la AM0)	>20 ani	20-100 EUR/W

Randamentul celulelor solare comerciale este de cca 20 %, iar modulele construite cu acestea ating un randament de cca 17 %. Recordul pentru celulele fabricate în condiţii de laborator este de 24,7 % (University of New South Wales, Australia), din care s-au confecţionat panouri cu un randament de 22 %. Preţul acestor module fabricate prin procedeul de topire zonală este de cca 200 Euro pe celulă la o suprafaţă a celulei de 21,6 cm², corespunzând unui cost de 5-10 Euro/W. Sistemele GaAs au costuri de 5 până la 10 ori mai mari.

Îmbătrânirea conduce la scăderea randamentului cu cca 10 % în 25 ani. Fabricanţii dau garanţii pe cel puţin 80 % din puterea maximă în 20 ani.

În spaţiu constanta solară este mai mare decât iluminarea globală pe pămînt, totodată celulele solare îmbătrânesc mai repede. Panourile pentru sateliţi ating momentan (2005) un randament de 25 % la o durată de viaţă de 15 ani^[5].

[modifică] Scheme de conectare

Schemă de conectare şi schemă echivalentă a unei cellule solare

Semnul convenţional pentru o celulă solară indică asemănător unei diode sau fotodiode prin interediul unei săgeţi sensul curentului pentru conectare. Caracteristica unei cellule solare se deosebeşte totuşi de cea a unei fotodiode ideale. Pentru a modela aceste diferenţe, există mai multe scheme echivalente.

[modifică] Schemă echivalentă simplificată

Schema este compusă dintr-o sursă de curent legată în paralel cu o diodă ideală. Această sursă produce un curent dependent de intensitatea luminii şi este modelat de fotocurentul $I P h$ . La valoare curentului total contribuie şi curentul prin diodă $I D$ (siehe Diode) zu $I = I_{Ph} - I_D = I_{Ph} - I_S \left[ e^{ \frac{U_D}{n\cdot U_T}} - 1 \right]$ .

[modifică] Schemă echivalentă extinsă (Model cu una sau două diode)

Model de celululă solară cu o diodă

Schema extinsă ţine cont de parametrii reali ai elementelor componente care apar în procesul de fabricaţie. Prin aceasta se încearcă modelarea cît mai exactă din punct de vedere electric a celulei solare.
Faţă de schema echivalentă simplificată la cea extinsă cu o diodă, schema se întregeşte cu o rezistenţă legată în parallel şi una legată în serie.

Rezistanţa în paralel Rp ia în considerare defectele de cristal, impurificări neomogene şi defecte de material prin care apar curenţi de pierdere care traversează joncţiunea p-n. La celule solare bine construite această rezistenţă este relativ mare.
Cu rezistenţa în serie Rs se iau în considerare efectele în urma cărora creşte rezistenţa totală a elementelor componente. Acestea sunt în principal rezistenţa semiconductorului, rezistenţa contactelor şi a legăturilor. La celulele solare această rezistenţă trebuie să fie cât se poate de mică.

Formula pentru curentul total în acest model este o funcţie recursivă şi arată astfel: $I=I_{ph}-I_d-\frac{U_p}{R_p}=I_{ph}-I_S\left[ e^{\frac{U+R_s\cdot I}{n\cdot U_T}}-1 \right] - \frac{U+R_s\cdot I}{R_p}$

Model cu două diode cu sursă cu limitare de tensiune la efectul de avalanşă la tensiune inversă.

Faţă de cea anterioară aceastei scheme i se mai adaugă o diodă cu alţi parametri pentru a evidenţia funcţionarea în regim de tensiune inversă. Formulele pentru această schemă conţin referiri la conductivitatea g_b, tensiunea de străpungere U_b şi coeficientul exponenţial de avalanşă şi arată astfel: n_b: $I=I_{ph}-I_{b}-I_{S1}\left[ e^{\frac{U+R_s\cdot I}{n_1\cdot U_T}}-1 \right] -I_{S2}\left[ e^{\frac{U+R_s\cdot I}{n_2\cdot U_T}}-1 \right] -\frac{U+R_s\cdot I}{R_p}$

$I_b=g_b\cdot(U+R_s\cdot I)\cdot\left(1-\frac{U+R_s\cdot I}{U_b}\right)^{-n_b}$

[modifică] Amortizarea energetică şi eficienţa energetică

Amortizarea energetică este momentul în care energia consumată pentru fabricarea celulei fotovoltaice este egalată de cea produsă în timpul exploatării. Cel mai bine se prezintă din acest punct de vedere celulele cu strat subţire. Un panou solar (fără cadru) cu astfel de celule se amortizează în 2-3 ani, Celulele policristaline necesită până la amortizare cca 3-5 ani, pe când cele monocristaline 4-6 ani. Deoarece un sistem cu panouri solare include şi suporţii de montare, invertor etc. durata de amortizare energetică se măreşte cu cca 1 an.^[6]

[modifică] Protecţia mediului

În fabricarea de celule solare se utilizează parţial şi materiale dăunătoare sănătăţii şi mediului. Exemplu în acest sens prezintă celulele cu strat subţire CdTe şi arseniura de galiu şi mult discutatele celule solare de tip CIS şi CISG. Producţia în masă şi utilizarea pe suprafeţe extinse a acestora trebuie bine cântărită. Dar şi producţia de celule cu siliciu tradiţionale ascunde pericole pentru mediu. Pentru persoane neavizate aceste riscuri ce sunt legate de procesul de fabricaţie nu sunt vizibile. Aici intervine cerinţa de a promova selectiv tehnologiile de fabricare a celulelor solare ce nu distrug mediul şi care pe baza progreselor tehnologice promit avantaje concurenţiale.

[modifică] Fabricanţi de celule solare (Extras)

[modifică] Germania

Antec Solar Energy|ANTEC SOLAR ENERGY AG , Arnstadt (Thüringen)
Deutsche Cell GmbH ( SolarWorld AG -Tochter), Freiberg (Sachsen)
ErSol|ErSol Solar Energy AG , Erfurt (Thüringen)
EverQ GmbH , Thalheim (Sachsen-Anhalt)
First Solar GmbH, Frankfurt (Oder), (Brandenburg)
CSG Solar , Thalheim (Sachsen-Anhalt)
Q-Cells|Q-Cells AG , Thalheim (Sachsen-Anhalt)
Schott Solar GmbH, Alzenau (Bayern)
Shell Deutschland GmbH, Gelsenkirchen (Nordrhein-Westfalen)
SULFURCELL Solartechnik GmbH, Berlin
Sunways AG, Konstanz (Baden-Württemberg)
Solarworld AG, Bonn
Solarion AG, Leipzig
Solarwatt AG, Dresden
Würth Solar , Schwäbisch Hall

[modifică] În afara Germaniei

Advent Solar , Albuquerque (USA)
First Solar Inc., Perrysburg (USA)
GE Energy - Solar Power (USA) (früher Astropower)
Isofoton (Spanien)
Kyocera , Kyoto (Japan)
Microsol Power Pvt. Ltd. (Indien)
Mitsubishi|Mitsubishi Electric , Tokio (Japan)
Photowatt (Frankreich)
Sanyo , Osaka (Japan)
Sharp , Osaka (Japan) - Anteil am Weltmarkt für Solarzellen ca. 30%
Solibro AB, Uppsala (Schweden)
SunPower , USA
Suntech Power Holdings Co. Ltd., Wuxi (China)
United Solar Ovonic , Auburn Hills (USA)
Yingli Solar , Bejing (China)
Swiss Wafers AG , Weinfelden (Switzerland)

[modifică] Alte firme în industria tehnologiei solare

Applied Materials , Santa Clara (USA) Hersteller von Produktionsanlagen für Solarzellen
LPKF Laser & Electronics AG , Garbsen (Germany) Hersteller von Laseranlagen für die Strukturierung von Dünnschicht-Solarzellen
Roth & Rau AG , Hohenstein-Ernstthal (Germany) Hersteller von Produktionsanlagen für Solarzellen und Turnkey Facility Solutions
SOLARC , Berlin (Germany) Herstellung und Entwicklung von hochwertigen Photovoltaikprodukten im unteren und mittleren Leistungsbereich www.solarc.de

[modifică] Surse

↑ [1]
↑ M. Powalla and B. Dimmler. CIGS solar modules - progress in pilot production, new developments and applications. 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference, (2004) Paris, Ed.: JRC, Ispra, Italy, 1663)
↑ K. Ramanathan, M. A. Contreras, C. L. Perkins, S. Asher, F. S. Hasoon, J. Keane, D. Young, M. Romero, W. Metzger, R. Noufi, J. Ward and A. Duda. Properties of 19.2 % Efficiency ZnO/CdS/CuInGaSe2 Thin-film Solar Cells. Prog. Photovolt. Res. Appl. 11, 225-30 (2003)
↑ http://oregonstate.edu/~ecclese/files/Term%20Paper.pdf
↑ http://www.esa.int/techresources/ESTEC-Article-art_print_friendly_1115706332477.html
↑ V. Quaschning (2002): Energieaufwand zur Herstellung regenerativer Anlagen, [2]

[modifică] Legături externe

[modifică] Vezi şi

Departamentul Energiei, SUA

Detalii tehnice celule solare

Adus de la "http://ro.wikipedia.org../../../c/e/l/Celul%C4%83_solar%C4%83.html"

Categorii: Conversie de energie | Dispozitive semiconductoare