Флаш-памет

от Уикипедия, свободната енциклопедия

Флаш-памет — разновидност на енергонезависима препрограмируема памет. Реализира се върху полупроводникови чипове по планарна технология.

Произвеждат се два основни типа флаш-памет: NOR (логика NOT OR) и NAND (логика NOT AND). И в двата типа памет като елементарни клетки за съхранение на информацията се използват полеви транзистори.

Флаш-паметта може да бъде прочетена произволен брой пъти, но записването в нея е ограничено (обикновено около 10 000 пъти). Причината е, че за извършването на запис е необходимо отначало да се изтрие участъкът от паметта, а участъкът може да издържи само ограничен брой изтривания. Тъй като изтриването става на цели участъци, не е възможно да се замени само един бит или байт, без да се изтрие целият участък (това ограничение се отнася за най-популярния тип флаш-памет— NAND)

Предимството на флаш-паметта пред RAM и DRAM паметите е нейната енергонезависимост — при изключване на захранването съдържанието на паметта се запазва. Предимството и пък пред твърдите дискове, CD-ROM и DVD е отсъствието на движещи се части. Затова флаш-паметта е компактна, евтина (като се отчете стойността на устройствата за четене и запис при посочените) и предоставя по-бърз достъп.

Недостатък в сравнение с твърдите дискове е относително малкият обем: обемът на най-големите флаш-карти е около 8 Gb. Работата по увеличаване на обема продължава.

Благодарение на компактността, евтината цена и липсата на нужда от захранване, флаш-паметта се използува широко във вид на флаш-карти в портативни устройства, работещи с батерии — цифров фотоапарат и видеокамера, цифров диктофон, MP3-плейър, PDA и др. Във формата на USB флаш пък се използва за съхранение на информация в компютрите. Вграденото програмно осигуряване в различни мрежови и периферни устройства (рутери, принтери, скенери) също все по-често се записва на този тип памет.

[редактиране] Източници

„Флэш-память“, статия в Уикипедия на руски [16.03.2007]