Fulmmemoro
El Vikipedio
Fulmmemoro - speco de memoro (ROM), kiu konservas datumojn ankaŭ sen elektro kaj, diference de memordiskoj uzas icojn kaj ne havas moviĝantajn partojn. Pro la lasta kvalito fulmmemoro estas unu el plej fidindaj specoj de memoro.
[redaktu] Historia skizo
La terminon "fulmmemoro" (angle flash memory) inventis en junio 1984 Shoji Arizumi, laboranto de firmao Toshiba. Tio okazis post kiam lia estro, doktoro Fujio Masuoka, sendis al konferenco IEDEM, okazanta en San-Francisko, anoncon pri nova speco de energi-nedependa memoro. Inventinto de la memoro priskribis du arkitekturojn de la memoro: NOR kaj NAND. Sed amas-produktadon de fulmmemoro lanĉis la firmao Intel en 1988.
Tamen unuaj icoj de energi-nedependa memoro aperis pli frue ol estis inventita la termino fulmmemoro. En 1956 laboranto de la firmao American Bosch Arma Wen Chow unuafoje patentis programeblan memoron OTPROM. Tiam ankoraŭ ne ekzistis icoj kaj bloko de OTPROM konsistis el matrico kun fandeblaj kondukiloj. Dum la programado la kondukiloj estis detruataj per uzo de alta tensio.
La sekva etapo, de evoluo de energi-nedependa memoro, komenciĝis en 1967, kiam estis prezentita specimeno de EPROM – multfoje programebla memoro. La specon de memoro prezentis Bell Labs. En 1971 (samtempe kun la unua procesoro) la firmao Intel inventis unuan komercan specimenon de EPROM: la icojn 1701 kaj 170, kiuj estis reprogrameblaj per ultraviola radiado tra speciala fenestreto. La speco de EPROM ricevis la nomon UV-EPROM. Similaj icoj de fleŝmemoro estis produktataj ĝis mezo de 90-jaroj.
En 1974 la firmao Intel lanĉis la produktado de la ico EEPROM 2816. La esplorojn pri perelektre reprogramebla memoro gvidis Ĝorĝ Prelegos kaj ĝuste tiuj ĉi icoj estis rektaj prauloj de la nunaj specoj de fulmmemoro. Bazo de EPROM kaj EEPROM estas transistoro kun glitanta direktilo, kiun inventis en Intel Don Froĥman. Kaj en postaj jaroj, malgraŭ evoluo de teknologioj, principoj de funkciado de fulmmemoro ne ŝanĝiĝis.
