Magnétorésistance à effet tunnel

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En physique, la magnétorésistance à effet tunnel, ou magnétorésistance tunnel (abrégée TMR) est une propriété de deux matériaux ferromagnétiques séparés par une fine membrane isolante, de l'ordre de 1 nm. La résistance électrique opposée au passage du courant par effet tunnel d'un matériau à l'autre au travers de la couche isolante varie alors en fonction de l'orientation relative des deux couches magnétiques, la résistance étant généralement maximale dans un alignement anti-parallèle.

La magnétorésistance à effet tunnel fut découverte en 1975 par M. Julliere, utilisant du fer comme matériau ferromagnétique et du germanium comme isolant. On ne put cependant réaliser l'effet à température ambiante qu'à partir de 1995, grace aux travaux de Jagadeesh Moodera, à la suite du regain d'intérêt pour le domaine motivé par la découvert de la magnétorésistance géante.

Cet effet est aujourd'hui à la base de la mémoire magnétique (MRAM) et des capteurs de disques durs. Les utilisations de cet effet pourraient s'étendre de la nanotechnologie à l'électronique de spin.

[modifier] Voir aussi

[modifier] Références

(en) Cet article est partiellement ou en totalité issu d’une traduction de l’article en anglais : « Tunnel magnetoresistance. »
M. Julliere (1975). "Tunneling between ferromagnetic films". Phys. Lett. 54A: 225-226. (en) sciencedirect

J. S. Moodera et. al. (1995). "Large Magnetoresistance at Room Temperature in Ferromagnetic Thin Film Tunnel Junctions". Phys. Rev. Lett. 74: 3273–3276. (en) aps

G. Binasch et. al. (1989). "Enhanced magnetoresistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange". Phys. Rev. B 39: 4828–4830. (en) aps

M. N. Baibich et. al. (1988). "Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices". Phys. Rev. Lett. 61: 2472–2475. (en) aps

J. S. Moodera and George Mathon (1999). "Spin polarized tunneling in ferromagnetic junctions". Magn. Magn. Mater. 200: 248-273. (en) sciencedirect