Phase-Change Random Access Memory
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La mémoire PRAM, pour Phase-Change RAM, ou (Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM ou encore C-RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile encore à l'état de recherche et développement.
La mémoire PRAM utilise la propriété du verre de chalcogénure, qui le fait basculer de la forme cristalline à la forme amorphe sous l'effet de la chaleur.
Les chercheurs espèrent que ce type de mémoire remplacera un jour la mémoire flash.
[modifier] Voir aussi
[modifier] Liens externes
- (en)Ovonyx, Inc.
- (en)Energy Conversion Devices, Inc.
- (en)Hitachi/Renesas Low-Power PRAM
- (en)Hewlett-Packard Probe Storage
- (en)Nanochip
- (en)Samsung 512Mbit PRAM prototype
- (en)BAE C-RAM Radiation-Hardened NVM press release
- (en)BAE C-RAM Radiation-Hardened NVM data sheet
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