불순물준위
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불순물준위 (영어: impurity state)란 물질 사이에서 불순물이 만드는 준위이다. 특히 반도체의 띠간격에서 이 불순물준위가 가능한 경우가 매우 중요하다. 띠간격에서 가능한 준위의 위치에 의하여 N형 반도체, P형 반도체를 형성할 수 있는 가능성이 있다. (깊은 준위, 예시로 띠간격의 한가운데에서 준위를 형성해 브리기도 한다.) 준위의 위치는 그 반도체와 불순물의 종류에 의하여 결정되서 P형 반도체가 되는 경우를 억셉터준위, N형 반도체가 되는 경우를 도너준위라고 부른다.
[편집] 같이 보기
| 반도체 | |
|---|---|
| 분류 | P형 반도체 | N형 반도체 | 진성 반도체 | 불순물 반도체 |
| 종류 | 질화물 반도체 | 산화물 반도체 | 비결정 반도체 | 전계형 반도체 | 자성 반도체 |
| 반도체 소자 | 집적회로 | 마이크로프로세서 | 반도체 메모리 | TTL 논리 소자 |
| 띠 이론 | 띠구조 | 띠계산 | 제일원리 띠계산 | 전도띠 | 원자가띠 | 띠간격 | 페르미준위 | 불순물준위 | 전자 | 정공 | 도너 | 억셉터 | 물성 물리학 |
| 트랜지스터 | 사이리스터 | 접합형 트랜지스터 | 전계효과 트랜지스터| 전력 MOSFET | 박막 트랜지스터 | 시모스 | 증폭 회로 |
| 관련 | 다이오드 | 태양 전지 |
| 기타 | PN 접합 | 공지층 | 쇼트키 접합 | MOS 접합 | 전자공학 | 전자 회로 | 반도체공학 | 니시자와 준이치 | 금속 | 절연체 |
