불순물 반도체

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불순물반도체는 반도체의 한 종류이다. 외인성 반도체 (영어: extrinsic semiconductor)라고도 한다. 순수한 진성반도체에 불순물 (도펀트)를 소량첨가 (도핑)한 것이다. 도핑하는 원소에 의하여 캐리어가 홀 (정공)인 P형 반도체, 캐리어가 전자인 N형 반도체를 얻을 수 있다. 캐리어의 종류는 불순물 원소의 최외각전자수에 의존적이며, 최외각전자가 4보다 클 경우는 N형 반도체, 최외각전자가 4보다 작을 경우는 P형 반도체가 된다. 반도체의 한종류인 규소를 예로 들면, 비소, 인의 경우에는 N형 반도체, 붕소의 경우에는 P형 반도체가 된다.

[편집] 같이 보기

반도체
분류	P형 반도체 | N형 반도체 | 진성 반도체 | 불순물 반도체
종류	질화물 반도체 | 산화물 반도체 | 비결정 반도체 | 전계형 반도체 | 자성 반도체
반도체 소자	집적회로 | 마이크로프로세서 | 반도체 메모리 | TTL 논리 소자
띠 이론	띠구조 | 띠계산 | 제일원리 띠계산 | 전도띠 | 원자가띠 | 띠간격 | 페르미준위 | 불순물준위 | 전자 | 정공 | 도너 | 억셉터 | 물성 물리학
트랜지스터	사이리스터 | 접합형 트랜지스터 | 전계효과 트랜지스터| 전력 MOSFET | 박막 트랜지스터 | 시모스 | 증폭 회로
관련	다이오드 | 태양 전지
기타	PN 접합 | 공지층 | 쇼트키 접합 | MOS 접합 | 전자공학 | 전자 회로 | 반도체공학 | 니시자와 준이치 | 금속 | 절연체