CVD-proces

Van Wikipedia

Plasma (paars) laat “nano” buisjes, in een laboratoriumopstelling, groeien.

Chemical Vapor Deposition (CVD) (letterlijk vertaald “chemische dampdepositie”) is een chemisch opdampproces waarbij een dunne laag materiaal op een substraat (ondergrond) wordt aangebracht.

Inhoud

1 Onderverdeling
2 Geschiedenis
3 Proces
4 Toepassingen
5 Zie ook

[bewerk] Onderverdeling

Het opdampproces kan weer onderverdeeld worden in;

APCVD Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition. Opdampproces onder atmosferische druk.

ACVD of ALCVD Atomic Layer Chemical Vapor Deposition. Opdampproces waarbij lagen gecontroleerd laag voor laag kunnen worden aangebracht.

HFCVP Hot Filament Chemical Vapour Deposition. Opdampproces onder hoge temperatuur.

LPCVD Low Pressure Chemical Vapor Deposition. Opdampproces onder gereduceerde atmosferische druk.

MOCVD Metal Organic Chemical Vapor Deposition. Opdampproces waarbij het opgedampte materiaal gebaseerd is op metaal-organische verbindingen.

MPCVD Microwave Plasma-assisted Chemical Vapor Deposition.

PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition. Opdampproces geschikt voor een lagere temperatuur.

RTCVD Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition. Versneld opdampproces waarbij alleen het substraat wordt opgewarmd.

RPECVD Remote Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition. Opdampproces gelijk aan het PECVD proces waarbij het substraat niet in direct contact met de plasma-reactiekamer staat. Hierdoor kan het proces bij (de relatief lagere) kamertemperatuur plaatsvinden.

UHVCVD Ultra High Vacuum CVD Chemical Vapor Deposition. Opdampproces onder zeer lage druk.

[bewerk] Geschiedenis

De term "Chemical Vapor Deposition" werd voor het eerst gebruikt door John M. Blocher. Al in 1852 vermelde de Duitse chemicus Robert Wilhelm Bunsen het proces.

[bewerk] Proces

Op het al dan niet verwarmde substraat (oppervlak) wordt als gevolg van een chemische reactie, waarbij een materiaal overgaat van de vaste naar de damptoestand, een dunne laag opgedampt.