ドーピング (半導体)

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』

半導体におけるドーピング (doping) とは、半導体の性質を変える目的で、結晶に少量の不純物を添加することである。不純物の添加により電子や正孔（キャリア）の濃度を調整する他、禁制帯幅などのバンド構造や物理的特性などを様々に制御するのに用いる。また、添加する不純物をドーパントと呼ぶ。

[編集] ドーパントの例

• シリコンなど：
  • リン：n型ドーパント
  • ホウ素：p型ドーパント

[編集] ドーピング手法

• 合金法
• 拡散法
• イオン注入
• ドーパント