窒化ガリウム

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窒化ガリウム

IUPAC名
別名	ガリウムナイトライド
組成式	GaN
式量	83.7297 g/mol
形状	黄色粉末
結晶構造	本文参照
CAS登録番号	[25617-97-4]
密度と相	6.1 g/cm³, 固体
水への溶解度	g/100 mL ( ℃)
融点	> 2500 ℃（ウルツ鉱構造^[1]）
沸点	℃
出典

窒化ガリウム（ちっかガリウム、GaN）はガリウムの窒化物であり、青色発光ダイオード（青色LED）の材料として用いられる半導体である。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。

[編集] 物理的性質

結晶構造はウルツ鉱構造と閃亜鉛鉱構造の2種類を取りうるが、前者がエネルギー的に安定であり、よく使われている。ウルツ鉱構造の格子定数は、a軸が 3.18 Å、c軸が 5.17 Å である。

バンドギャップは室温において約 3.4 eV で、波長では約 365 nm に相当し、紫外領域の光源となる。微量のインジウム (In) を加えて InGaN 結晶にすることで紫色、青色の光源として用いることができる。発光ダイオードによる光の三原色のひとつとして交通信号やディスプレイに用いられる。

他の半導体と比較して、

熱伝導率が大きく放熱性に優れている
高温での動作が可能
電子の飽和速度が大きい

などの理由から電子デバイスとしての応用が期待されている。

[編集] 化学的性質

窒化ガリウムは化学的には非常に安定した物質であり、一般的な酸（塩酸、硫酸、硝酸など）や塩基には溶けない。

半導体の製造工程におけるエッチングの際には反応性イオンエッチング (reactive ion etching, RIE) によるドライエッチングを行う。

[編集] 歴史

1990年代前半はセレン化亜鉛 (ZnSe) と GaN が青色系発光ダイオードの材料の候補であった。しかし格子定数と熱膨張係数が GaN に近い基板が存在せず、良質な結晶を作製できなかったため、ほとんどの研究者は ZnSe を用いて青緑色発光ダイオード作製を目指していた。ZnSe を用いた青緑色半導体レーザも報告されたが、寿命が短く製品化には至らなかった。

その折、日亜化学（当時）の中村修二がツーフローMOCVD法を提案し、世界で初めて窒化物半導体を用いた高輝度青色発光ダイオード作製と長寿命化に成功した。なお、この成功は赤崎勇と天野浩の先行研究によるところが大きい。